中国粉体网讯 近日，Ceram Tec推出新型高性能氮化铝基板 Alunit® AlN HP。与普通的氮化铝基板相比，该基板弯曲强度提高了40%，并具有出色的导热性，可用于发电和配电，车辆电气化和轨道车辆制造的功率转换器。
由于其≥ 450 MPa的高弯曲强度，即使在极端温度循环下，Alunit® AIN HP也能在导电金属化和陶瓷基板之间实现永久粘合。3.7-5.7ppm/K（在高达300°C时）的热膨胀系数接近典型的半导体材料。因此，Alunit® AlN HP增加了功率模块的连续负载能力。此外，Alunit® AIN HP具有170W/mK 的高导热率以及 20℃时电绝缘和介电强度≥15 kV/mm，可进行覆铜、覆铝金属化，适用于DCB、AMB工艺。
在应用上，Alunit® AlN HP是用于高电压和高性能功率模块的绝佳选择，也适用于大功率 LED 和片式电阻器，即使在更高电流和更小的组件中也是如此。例如，在这些应用领域，陶瓷基板Alunit® AlN HP在技术上优于PCB材料。Ceram Tec提供138.0x190.5x0.635 mm母版形式的基板；可根据要求提供其他厚度（例如 1.00 mm）。
（中国粉体网编辑整理/空青）
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