中国粉体网讯 据江苏媒体“金龙湖发布”消息，8月8日上午，江苏天科合达碳化硅衬底二期扩产项目开工活动在徐州经开区举行，新增16万片产能，预计明年8月投产，届时江苏基地的总产能将达到23万片。
徐州市相关领导、天科合达相关高层出席开工仪式，北京天科合达总经理杨建介绍了项目情况。
据介绍，天科合达碳化硅衬底二期扩产项目总投资8.3亿元，占地70亩，建筑面积约5万平方米，购置安装单晶生长炉及配套设备合计647台（套），可实现年产碳化硅衬底16万片。
该项目计划2024年6月建设完成，同年8月竣工投产。
北京天科合达于2006年9月设立，是最早布局碳化硅衬底的厂商之一；江苏天科合达是北京天科合达全资子公司，他们位于徐州的SiC项目情况如下：
1期项目：2019年12月投产，投资额3亿元，已建成SiC晶体生长、切割，晶片加工及检测等工序，年产能4万片。
2期项目：2022年9月18日，通过了竣工环境保护验收，投资额1.5亿元，新增产能SiC衬底3万片/年。
徐州市委常委、经开区党工委书记张克致辞表示，二期扩产项目投产后，天科合达徐州基地碳化硅衬底年产能将达到23万片、年产值10亿元以上；经开区将全力以赴推进天科合达SiC二期项目建设，确保明年6月份设备安装调试、8月份正式投产。
此外，徐州经开区期待天科合达继续扎根经开区、投资经开区，加快布局三期100万片SiC外延片项目，为徐州打造完整的第三代半导体碳化硅产业链注入新的强劲动力。
（中国粉体网编辑整理/空青）
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