中国粉体网讯 8月16日，楚江新材(002171.SZ)在互动平台表示，子公司顶立科技的碳材料产品可用于第三代半导体碳化硅及金刚石的生长。公司在半导体领域主要围绕“四高两涂”的技术和产品进行研发和生产，可为碳化硅单晶生产企业提供高纯原料及耗材的配套。
高纯碳粉是制备碳化硅单晶的基础材料。
由于碳化硅具有很多卓越的物理化学性能，使得其在航空航天、电子、能源和军工等领域具有非常广泛的应用前景。特别地，碳化硅作为第三代半导体的代表材料之一，非常适合于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度集成的电子器件。目前制作器件用的碳化硅单晶衬底材料一般采用PVT（物理气相传输）法生长。SiC原料的纯度、粒径和晶型在PVT生长SiC单晶时起重要的作用，直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质，尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC粉料。
目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料一般采用CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为高温合成法或燃烧法）。然而，CVD法合成高纯碳化硅粉料的成本高，不适于碳化硅粉料的批量化合成。改进的自蔓延高温合成法制备过程简单，合成效率高，在工业上被广泛用于生产高纯SiC粉体。该方法是将固态的Si源和C源作为原料，使其在1400～2000℃的高温下持续反应，最后得到高纯SiC粉体，而高纯度的C粉是最常见的碳源材料。
顶立科技是楚江新材（002171）的控股子公司，是一家专业从事特种材料及特种热工装备研发、生产的国家重点高新技术企业。近年来其积极参与国家重大专项建设，通过自主创新，将材料制造工艺与装备制造技术紧密结合，先后攻克了我国粉末冶金、碳材料等行业急需的关键热工装备的技术瓶颈。在高纯碳粉方面，顶立科技已掌握6N级高纯碳粉制备工艺，产品稳定性好、石墨化程度高、杂质少，可用于合成高纯SiC粉、培育钻石、锂电池负极材料等方面。
参考来源：
[1]每日经济新闻、顶立科技官网等
[2]罗昊等.碳化硅单晶生长用高纯碳化硅粉体的研究进展
[3]马康夫等.生长单晶用SiC粉料合成工艺研究进展
（中国粉体网编辑整理/山川）
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