中国粉体网讯 近日，天岳先进发布签订重大合同的公告。公告显示该合同主要内容有：2023 年至 2025 年，公司及公司全资子公司上海天岳半导体材料有限公司（以下简称“上海天岳”）向合同对方销售 6 英寸导电型碳化硅衬底产品，按照合同约定年度基准单价测算（美元兑人民币汇率以 6.7 折算），预计含税销售三年合计金额为人民币 13.93 亿元，最终以实际数量结算金额为准。
13.93亿元，在国内第三代半导体领域算得上超级订单了，要知道天岳先进在2020年、2021年的营业收入分别为4.25、4.94亿元，该订单金额是该公司去年总营收的2.8倍，并超过公司过去四年营收之和。
目前，天岳先进主要产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底。，半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件，它是通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化镓射频器件，其主要为面向通信基站以及雷达应用的功率放大器。
导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类功率器件。功率器件又被称为电力电子器件，是构成电力电子变换装置的核心器件。功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT 等。碳化硅功率器件与硅功率器件的性能对比如下：
相同规格的碳化硅基 MOSFET 与硅基 MOSFET 相比，其尺寸可大幅减小至原来的 1/10，导通电阻可至少降低至原来的 1/100。相同规格的碳化硅基 MOSFET较硅基 IGBT 的总能量损耗可大大降低 70%。 因此，碳化硅功率器件凭借高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。
放眼碳化硅衬底的全球竞争格局，目前海外厂商掌握话语权，国内企业市场份额较小。半绝缘市场中，贰陆公司（II-IV）、科锐（Wolfspeed）以及天岳先进三家占据主要份额；导电型市场中，科锐为绝对龙头，天岳先进也在加速布局，据公司2021年年报显示，其 6 英寸产品已送样至多家国内外知名客户，并于 2019 年中标国家电网的采购计划。
另外，去年公司募投项目“碳化硅半导体材料项目”在上海临港正式开工建设，该项目主要用于生产6英寸导电型碳化硅衬底材料，计划于2026年达产，达产后将新增碳化硅衬底材料产能约30万片/年。
6月份，天岳先进共获67家机构调研，该公司透露，其提供的导电型衬底基本都是满足MOSFET参数标准的。MOSFET器件在工业领域和新能源汽车领域都有非常广泛的应用场景，公司目前已经获得IATF16949车规体系认证，下游客户的送样反馈结果也非常积极。
参考来源：天岳先进相关公告
（中国粉体网编辑整理/山川）
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