中国粉体网讯 2022年3月11日，由江苏宏微科技有限公司、重庆大学联合牵头，泰克科技（中国）有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、全球能源互联网研究院有限公司、北京海瑞克科技发展有限公司、广州电网有限公司电力科学研究院等单位联合提交的《碳化硅MOSFET开关运行条件下阈值稳定性测试方法》团体标准提案，经CASA标准化委员会（CASAS）管理委员会审核，根据《CASA管理和标准制修订细则》，上述团体标准提案立项通过，分配编号为：CASA 024。
近 20 多年来，以碳化硅为代表的宽禁带半导体器件，受到了广泛的关注。SiC 材料具有 3 倍于硅材料的禁带宽度，10 倍于硅材料的临界击穿电场强度，3 倍于硅材料的热导率，因此 SiC 功率器件适合于高频、高压、高温等应用场合。
其中SiC MOSFET是最为成熟、应用最广的SiC功率开关器件，具有高开关速度、低损耗和耐高温等优点，被认为是替代硅IGBT的最佳选择。SiC MOSFET 是一种具有绝缘栅结构的单极性器件，关断过程不存在拖尾电流，降低了开关损耗，进而减小散热器体积；并且其开关速度快，开关频率高，有利于减小变换器中电感和电容的体积，提高装置的功率密度，有效降低装置的系统成本。
MOSFET 器件结构示意图
国际上多家企业已经实现 SiCMOSFET 器件的商业化，并已逐步推出沟槽型 SiC MOSFET 器件。而国内的 SiC MOSFET 器件基本采用平面栅 MOSFET 结构，研发进度相对落后，工艺技术的不成熟与器件可靠性是国内 SiC MOSFET器件的主要问题。
《碳化硅MOSFET开关运行条件下阈值稳定性测试方法》规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）开关运行条件下阈值稳定性测试方法，评价器件在承受规定动态栅极应力的条件下是否符合规定的阈值电压变化量。该方法是使器件重复承受栅极正偏压和栅极负偏压，以加速器件栅氧界面的老化并加速器件阈值电压的变化，从而衡量碳化硅MOSFET的阈值稳定性。
江苏宏微科技股份有限公司自设立以来一直从事IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管、模块和电源模组的设计、研发、生产和销售，并为客户提供功率半导体器件的解决方案。主要产品有IGBT、FRED、MOSFET、整流桥、晶闸管、SiC模块等。公司曾荣获“新型电力半导体器件领军企业”、“苏南国家自主创新示范区瞪羚企业”、“PSIC2019中国新能源汽车用IGBT最具发展潜力企业称号”和“中国电气节能30年杰出贡献企业”等荣誉称号。
（中国粉体网编辑整理/山川）
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