中国粉体网讯 近日，高性能SiC（碳化硅）模块厂家利普思半导体已完成近亿元人民币A轮融资，由德联资本领投，沃衍资本、飞图创投跟投。该轮资金将主要用于公司无锡与日本研发设备投入，以及研发投入、管理运营和市场推广。
利普思成立于2019年，专注高性能SiC与IGBT功率模块的研发、生产和销售，拥有创新的封装材料和封装技术，为新能源汽车、氢能车、光伏等行业应用的控制器提供小型化、轻量化和高效化的功率模块解决方案。目前，公司已经申请专利26项，其中发明专利13项。
功率半导体作为电能转换的核心器件，广泛应用于新能源汽车、轨道交通、工业控制、光伏和风电等领域，市场空间巨大。据市场研究机构IHS数据，今年我国功率半导体市场规模有望达159亿美元（约1015亿人民币），到2024年，全球功率半导体市场规模预计将超过500亿美元（约3193亿人民币）。
尽管我国功率半导体市场占据了全球超1/3的规模，但面向高端领域的功率器件国产率极低，高端国产功率模块的可靠性不足也导致市占率较低，90%以上的中高端MOSFET及IGBT，SiC器件仍然依赖进口。
其难点在于，一是高端功率器件主要应用在新能源汽车、风力发电、光伏等领域，这些领域对功率模组的电气设计、散热、机械，可靠性，工艺等方面都有着高要求，国外如英飞凌、三菱等国际大厂早已积累了成熟技术和竞争优势，但国内的IGBT与SiC模组设计与制造工艺相对落后，处于仍追赶阶段。
二是芯片设计方面，小功率芯片通常采用单管电流设计，而大功率芯片需要集成到模组中，通过更多芯片并联达到大功率电流的效果，尤其是汽车应用中，国内相关模组企业同样与国际水平存在差距。
目前，利普思的核心产品覆盖SiC和IGBT两个品类，其中应用于氢能商用车和光伏的SiC，以及应用在充电桩、工业变频器、商用车等方面的IGBT已实现批量生产。值得注意的是，尽管SiC作为第三代功率半导体，在性能效率、可靠性和小型轻量化方面具备优势，但SiC对IGBT的替代主要集中在高端应用市场，在低端市场则是两者共存的格局。
（中国粉体网编辑整理/山川）
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