中国粉体网讯 近日，国资委公布第三届中央企业熠星创新创意大赛获奖名单，国宏中宇第三代半导体“大尺寸碳化硅单晶衬底片项目”赫然在列，荣获大赛三等奖。据悉此次大赛共吸引3340个项目、2.3万余人报名参赛。共有516个项目面向社会进行投资路演和对接， 最终有100个项目获得一二三等奖，另有100个项目荣获优秀奖。
碳化硅做为第三代半导体的核心材料，拥有更高的禁带宽度、电导率、热导率等优良特性，将是未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料，将在诸如新能源汽车和5G射频器件等高功率和高频高速领域大展身手。IHS数据显示，未来全球碳化硅功率器件市场规模将由2018年的4亿美元，增长至2027年100亿美元，复合年增长率将达40%；而碳化硅衬底材料市场规模将从2018年的1.21亿美元增长至2027年的30亿美元，复合年增长率44%。
国宏中宇科技发展有限公司成立于2017年，由中科钢研节能科技有限公司创设（中国钢研科技集团混改企业、国资委双百企业），是致力于碳化硅半导体材料及专用装备研发与生产的科研创新型企业。公司秉承创新发展是第一生产力的理念始终以科技创新、技术进步为发展理念，以“第三代半导体材料制备关键共性技术北京市工程实验室”的科研成果为基础，进行自主研发和融合创新，在材料自身制备工艺需求基础上，自主研制了多种核心工艺装备，制备出性能优良的碳化硅原料、单晶、衬底片等材料。
（中国粉体网编辑整理/星耀）
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