内存制造迈一大步：三星率先采用70纳米工艺

    芯片容量、性能的不断上升，要求制造工艺也要不断进步，从而使得有限的体积内能够容纳更多的晶体管。1993年的CPU使用的仅仅是800纳米的工艺制程(例如英特尔的奔腾60MHz，310万晶体管)，而目前的最新产品则使用90纳米工艺打造，晶体管数量也超过一亿。内存厂商同样在不断追求更先进的制造工艺。在转向100纳米之后，三星日前宣布，其研发出业界第一的CVD(Che micalVaporDeposition，化学蒸发沉积)铝制程技术，从而为该公司升级到70纳米工艺奠定了坚实的基础。

　　在DRAM生产过程中的互联技术环节，三星开发出的上述新技术处于领导地位。过去生产DRAM晶圆中的电路接线，多采用PVD(PhysicalVaporDeposition，物理蒸发沉积)技术。但是运用PVD生产90纳米或更小制程的芯片时遇到了困难，出现了所谓的“Void”问题。而晶圆表面出现的一丁点瑕疵，都将导致内部电路出现问题。

　　CVD铝技术不仅克服了PVD的缺陷，适合用于生产70纳米的芯片，而且还能降低相关生产过程中20%的制造费用。目前，三星电子已经在90纳米/512MbDRAM颗粒的制造上应用了CVD铝制程技术，并计划在年底将这种新技术运用到70纳米工艺之上。