中国粉体网讯 近日，晶盛机电发布2026半年度报告，报告显示，公司2026年上半年实现营业收入34.52亿元，同比下降40.47%；归属于上市公司股东的净利润2.32亿元，同比下降63.66%；扣非净利润1.02亿元，同比下降80.90%。
晶盛机电称，受益于半导体行业持续发展及国产化进程加快，公司半导体业务持续发展。报告期内，公司集成电路与化合物半导体（含SiC、蓝宝石等）设备及材料收入13.07亿元，截至2026年6月30日，公司未完成集成电路及化合物半导体装备合同超47亿元（含税）。
据晶盛机电预测，随着集成电路与化合物半导体设备的逐步验收以及化合物半导体衬底材料的产能提升，预计2026年全年集成电路与化合物半导体设备及材料收入超40.00亿元。
晶盛机电公司始终坚持先进材料、先进装备双引擎可持续发展的战略定位，形成了装备+材料协同发展的良性产业布局，主营业务产品涉及半导体装备、半导体衬底材料以及半导体耗材及零部件领域。
碳化硅装备：全链条设备实现突破，国产替代持续提速
在碳化硅装备领域，晶盛机电公司开发了碳化硅长晶及加工设备（研磨、切割、减薄、倒角、抛光、清洗及检测），满足碳化硅衬底规模化产能建设需求的同时，在技术、工艺以及成本方面构筑壁垒，强化公司在碳化硅衬底领域的核心竞争力。
基于产业链核心设备的国产化突破，在检测、离子注入、激活、氧化、减薄、退火等工艺环节积极布局产品体系，以高标准研发目标，逐步实现产品产业化市场突破，6-8英寸碳化硅外延设备实现国产替代并市占率领先，率先开发了12英寸碳化硅外延设备。此外，公司积极推进碳化硅氧化炉以及离子注入等设备的客户验证，相关设备的验证进展顺利，为规模化量产奠定坚实基础。
碳化硅衬底：攻克12英寸关键技术，海内外双基地加速放量
在碳化硅衬底材料方面，晶盛机电碳化硅衬底材料行业地位不断提升，已实现6-8英寸衬底规模化量产，产能持续提升，并实现12英寸碳化硅单晶生长技术突破。公司以碳化硅衬底为核心，实现从技术突破到规模化供应的关键跨越。公司基于自主研发的碳化硅单晶生长炉以及持续迭代升级的8-12英寸长晶工艺，经过多年的技术攻关，创新晶体生长温场设计及气相原料分布工艺，攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现了12英寸超大尺寸晶体生长的技术突破，并基于下游应用，向产业链客户进行送样验证。
现阶段，晶盛机电持续推进8英寸和12英寸碳化硅衬底在全球功率、光学等市场客户的验证，已向全球及国内功率芯片领域过半数头部厂商实现批量供货，产品验证和量产推进顺利，8英寸已实现大规模供应，12英寸已实现小批量供应。基于全球碳化硅产业的良好发展前景及广阔市场空间，公司积极推进全球化产能布局，在马来西亚槟城投资建设8英寸碳化硅衬底产业化项目，在银川投建8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目，形成“国内+海外”双基地布局。目前，公司产能处于快速爬坡阶段，正加速推进6英寸及8英寸碳化硅衬底年产90万片项目投产，全球供应能力有望得到显著提升。
参考来源：晶盛机电半年报
（中国粉体网编辑整理/初末）
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