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Q：碳化硅材料及器件整线工艺大致可分为哪几个阶段？
碳化硅材料及器件整线工艺大致可分为以下几个阶段：
1）晶体生长及晶体加工；
2）芯片制造和芯片封装。
以碳化硅MOSFET工艺为例，整线关键工艺设备共20多种。
Q：碳化硅晶体生长及加工关键设备主要包括哪些？
碳化硅粉料合成设备
碳化硅单晶生长炉
金刚石多线切割机
碳化硅研磨机
碳化硅抛光机
Q：碳化硅粉料合成设备主要技术难点体现在哪些方面？
高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉料合成坩埚加热与耦合技术。
Q：碳化硅单晶生长炉主要技术难点体现在哪些方面？
高温大尺寸设备高真空密封与控制、坩埚选择结构设计与密封技术、分子级线圈精密升降机构设计与控制、大尺寸坩埚加热与耦合技术、气体输运与混合控制技术等。
Q：金刚石多线切割机主要技术难点体现在哪些方面？
主轴系统设计制造、旋转摆动系统设计制造及摆动切割过程控制、移动布线系统技术、张力调节系统技术及算法、收/放线轮系统技术等。
Q：碳化硅研磨机主要技术难点体现在哪些方面？
高硬度材料减薄厚度的精确测量及控制，磨削后晶圆表面出现损伤层、微裂纹和残余应力，SiC晶圆减薄后产生比Si晶圆更大的翘曲现象，薄晶圆传输中的碎片问题等。
Q：碳化硅抛光机主要技术难点体现在哪些方面？
大尺寸高精度抛光盘设计、制造及装配技术，工作台振动控制验证平台设计及振动技术，抛光盘温度控制技术，循环水路设计技术，自适应承载器技术，抛光头加压传动技术等。
Q：碳化硅芯片制造及封装关键设备主要包括哪些？
碳化硅外延炉
干法刻蚀机
高温离子注入机
高温退火炉
高温氧化炉
背面减薄机
Q：碳化硅外延炉主要技术难点体现在哪些方面？
感应加热系统设计、喷淋技术、气浮传动技术、电磁隔离技术、工艺气体无扰动切换等。
Q：碳化硅干法刻蚀机主要技术难点体现在哪些方面？
高洁净抗腐蚀工艺腔体设计与制造、高性能等离子体源技术等。
Q：高温离子注入机主要技术难点体现在哪些方面？
离子源技术、高温靶室技术等。
Q：高温退火炉主要技术难点体现在哪些方面？
高温炉膛热场设计制造工艺，快速升温、降温与控温技术等。
Q：高温氧化炉主要技术难点体现在哪些方面？
无金属加热技术、抗氧化无污染高温炉膛设计与制造、高温氧化工艺等。
Q：背面减薄机主要技术难点体现在哪些方面？
高硬度材料减薄厚度的精确测量及控制，磨削后晶圆表面出现损伤层、微裂纹和残余应力，SiC晶圆减薄后产生比Si晶圆更大的翘曲现象。
参考资料：高德平等：碳化硅材料及器件的制造装备发展现状，中电科电子装备集团有限公司
（中国粉体网编辑整理/平安）
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