中国粉体网讯 2025年8月21日，由中国粉体网主办的“第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会”在苏州·白金汉爵大酒店成功召开！大会期间，中国粉体网记者有幸邀请到多位专家、企业界代表做客我们的“对话”栏目畅谈碳化硅半导体前沿技术、装备与产业化进展，共同展望这一战略性材料的无限潜能。本期为您分享的是杭州晶驰机电有限公司研发经理赵聪的专访。
杭州晶驰机电有限公司研发经理赵聪
中国粉体网：赵经理，您好，请问公司关于碳化硅主要有哪些不同功能类型的设备？
赵经理：公司碳化硅系列设备主要包括碳化硅晶体生长炉、外延炉、热压炉、退火炉、晶片腐蚀炉等。晶体生长炉是采用物理气相传输法（PVT）生长高品质SiC晶体的设备，包括感应式和电阻式两种类型的设备我们都在销售；外延炉是采用低压化学气相沉积（LPCVD）在SiC衬底上生长高质量同质外延薄膜的设备，有水平式和立式两种炉型都在销售；热压炉是将籽晶与石墨托牢固粘接和碳化的设备；退火炉是用于碳化硅晶锭和碳化硅晶片的高温退火的设备，主要作用是降低晶片缺陷和应力；晶片腐蚀炉是采用湿法化学腐蚀，集腐蚀、清洗、烘干为一体的自动化设备。
中国粉体网：公司最新的碳化硅单晶生长设备，其在性能上有哪些突出优势或者比较之前的设备有哪些技术升级？
赵经理：设备具有两个温区的配置，更符合PTV法下部粉料高温升华，上部籽晶低温结晶的物理过程；两个温区相互独立可控，既可实现温控又可以实现功率控制；采用上下温度控制，不用考虑保温的老化问题，可以实现工艺的简单和标准化，炉次的一致性比较好，单晶生产良率高。独特的热场保温设计，保证不存在热场石墨件的打火现象，热场稳定性高，使用寿命长，设备功率因数达到90%以上，设备能耗低。可实现生长坩埚的旋转，保证晶体生长的热场均匀；坩埚慢提拉功能保证晶体生长面始终处于合适的生长位置，保证晶体的面形。自主开发的加热电源分级设置，不同分级适用不同热场；炉子完全兼容6寸，8寸和12寸导电型，半绝缘型和光学级晶体生长，客户只需一次设备投入，从容面对市场需求和市场变化。
中国粉体网：公司的碳化硅晶片腐蚀炉，可以介绍下工艺流程吗？
赵经理：主要工艺流程可按腐蚀-喷淋-清洗-烘干这四个步骤。设备采用四工位设计，全封闭工作台和强排风系统，有效防止腐蚀性碱蒸汽对操作人员的身体伤害。该系统集SiC晶片热强碱腐蚀、快速清洗，再次超声清洗和晶片烘干为一体，充分避免了操作人员与腐蚀性强碱溶剂的接触。整个工艺流程全部自动化控制，操作人员只需完成取放片操作，腐蚀效率高，适合产业化应用。
中国粉体网：目前碳化硅设备研发方面存在哪些技术难点？
赵经理：我公司的核心技术有特气混合进气技术、稳定流场及热场的控制技术、高温取片技术、腔体防沉积技术、同炉多层结构掺杂技术等；长晶设备主要是电阻法单晶炉在石墨加热器设计方面，感应法单晶炉需要考虑线圈规格尺寸与电源及热场的匹配性；外延设备难点主要在热场设计，电阻加热与感应加热的取舍，以及温控精度，气体流场设计确保气体的均匀性等。腐蚀炉有强碱溶液的测温、温控精度、碱溶液层间温度均匀性控制等技术难点。
中国粉体网：针对碳化硅设备的市场需求，公司接下来有哪些产品布局计划？
赵经理：长晶设备自动化产线，外延设备多腔体多层外延层定制化，腐蚀炉设备个性化订制还有大尺寸金刚石设备等。
（中国粉体网编辑整理/石语）
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