随着科学技术的飞速发展，半导体材料的革新速度也进一步加快。当前，碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，在新能源汽车、光伏、储能等新兴领域正快速渗透，已成为全球半导体产业的前沿和制高点。同时，我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，碳化硅半导体将在我国5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。
要充分实现碳化硅功率器件优异的性能，第一步是生长出高质量单晶。而碳化硅的本身特性决定了其单晶生长难度较大——不能采用目前半导体工业主流所采用的生长工艺较成熟的生长法——直拉法、降坩埚法等方法进行生长。在当前倡导节能减排的大趋势下，快速稳定地突破碳化硅单晶尺寸和质量等关键问题，才能够更好地占据未来碳化硅市场。
从2025届第三代半导体SiC晶体生长技术交流会组委会获悉，本届会议将于2025年8月21日在江苏苏州举办。山西烁科晶体有限公司作为参展单位邀请您共同出席。
山西烁科晶体有限公司是国内从事第三代半导体材料碳化硅生产和研发的领军企业。公司通过自主创新和自主研发全面掌握了碳化硅生长装备制造、高纯碳化硅粉料制备工艺，N型碳化硅单晶衬底和高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺，形成了碳化硅粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线。并在国内率先完成4、6、8英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底技术攻关，一举突破国外对我国碳化硅晶体生长技术的长期封锁，是目前国内率先实现碳化硅材料产业链供应链自主可控的碳化硅材料供应商。
产品介绍
1、碳化硅单晶生长炉
产品简介
碳化硅单晶生长炉主要应用于生长6英寸N型及半绝缘碳化硅单晶衬底。碳化硅单晶具有高热导率、高化学稳定性、低热膨胀、高饱和电子漂移率等优点，在白光高效照明、电力输送与转换、耐高温电力电子器件等民用领域应用广泛，同时在雷达通讯、航空母舰、舰舶等军事领域可提高军事电子系统和武器装备的性能，有着明确应用背景。
2、N型导电型碳化硅晶片
产品简介
6英寸N型碳化硅衬底主要应用于新能源汽车、高压输变电站、白色家电、高速列车、电机、光伏逆变、脉冲电源等领域，具有降低设备能量损耗、提升设备可靠性、缩小设备体积、提升设备性能等优势，在制作电力电子器件方面有着不可替代的优势。
6英寸N型碳化硅衬底主要应用于新能源汽车、高压输变电站、白色家电、高速列车、电机、光伏逆变、脉冲电源等领域，具有降低设备能量损耗、提升设备可靠性、缩小设备体积、提升设备性能等优势，在制作电力电子器件方面有着不可替代的优势。
6英寸N型碳化硅衬底主要应用于新能源汽车、高压输变电站、白色家电、高速列车、电机、光伏逆变、脉冲电源等领域，具有降低设备能量损耗、提升设备可靠性、缩小设备体积、提升设备性能等优势，在制作电力电子器件方面有着不可替代的优势。
3、莫桑原石
半绝缘碳化硅晶体无色透明，亮度、火彩以及光泽度参数性能指标均优于钻石，硬度仅次于钻石，因此半绝缘型碳化硅晶体具有宝石饰品的属性，可采用碳化硅晶体加工成宝石饰品 “莫桑钻”。
会务组
联系人：段经理
电话：13810445572
邮箱：duanwanwan@cnpowder.com
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