斯普瑞喷雾
NanoCleaning
破局28纳米清洗困局
半导体制造的“纳米级洁癖”
清洗技术成制程升级胜负手
当半导体制造迈入28纳米及以下制程，晶圆表面残留的0.1微米级微粒足。以引发芯片功能失效，其严苛程度堪比“在足球场上清除一粒砂糖”。据SEMI研究显示，清洗环节缺陷率每降低1%，芯片良率可提升超5%，直接撬动千万级经济效益。在这场关乎技术话语权的较量中，国内某家与清华大学合作的国产半导体设备领军企业，却因晶圆研磨机（CMP）设备清洗工艺的微小缺口，陷入国际竞争困局。
当遭遇28纳米“清洗黑障”
斯普瑞喷雾助力企业技术突围
客户案例分享
作为国产CMP设备与清洗设备的双赛道企业，却在28纳米工艺升级时遭遇致命挑战——为简化流程取消精细清洗模块后，晶圆表面金属残留、微粒污染等问题集中爆发，清洗合格率骤降至90%，单月废品损失超百万。
NanoCleaning破壁：
从实验室参数到产线数据的科技跃迁
斯普瑞喷雾技术团队深入该企业产线解剖工艺链，发现问题的核心在于传统喷雾清洗的“粗放式覆盖”难以实现纳米级清洁穿透。我们自主研发的NanoCleaning高精度空气雾化系统，通过三项颠覆性创新直击痛点：
1、量子级雾化控制
采用超音速气体动力学模型，将清洗液破碎为0.01μm级纳米雾滴，较传统工艺粒径缩小80%，穿透晶圆表面微结构能力提升5倍；
2、动态流场重构
基于百万级流体仿真数据，开发湍流-层流自适应调节算法，使清洗介质在0.1秒内完成表面污染物剥离；
3、智能工艺耦合
通过模块化设计将清洗单元无缝嵌入客户CMP设备，实现研磨-清洗工艺链的毫秒级响应闭环。
验证数据惊艳业界
在客户产线实测中，搭载NanoCleaning的CMP设备不仅将28纳米晶圆清洗合格率拉升至98%的行业天花板，更通过工艺优化使单台设备增值5万元。测试显示，其残留颗粒数较日系竞品低42%，成为客户夺回高端市场的“技术王牌”。
技术经济学范本：
从产线到财报的增值奇迹
“这不是简单的设备改造，而是一场制造逻辑的革命。”该企业在验收报告中如此评价。NanoCleaning带来的不仅是技术指标的跃升：
效果一
成本重构清洗环节效率提升使二次研磨时间缩短15%，单月节省人工200小时，相当于每年减支超60万元；
效果二
收益裂变设备溢价与良率提升双轮驱动，客户单月新增收益7万元，投资回收期仅2个月，投资回报率高达600%；
效果三
格局重塑Nano Cleaning技术的成功应用，使该企业在28纳米及以下制程的晶圆清洗领域处于行业领先地位，吸引了更多高端客户的关注与合作。
高精尖技术的产业宣言
斯普瑞喷雾NanoCleaning的突围之路，印证了一个硬道理：在半导体制造的“超净间”里，真正的技术护城河往往藏于细节。当国产设备商在28纳米清洗这样的微观战场实现“超车”，其意义远超单一技术突破——它标志着中国半导体产业开始从“工艺跟随”转向“标准定义”。
如今，这项技术已延伸至14纳米制程验证，并在第三代半导体材料清洗中展现颠覆潜力。当行业还在讨论“国产替代”时，斯普瑞与合作伙伴已用NanoCleaning写下新的注脚：高端半导体设备的未来战场，中国技术正在定义规则。
