中国粉体网讯 近日，法国半导体金刚石初创公司Diamfab和等离子体辅助化学气相沉积 （CVD）人造金刚石初创公司HiQuTe Diamond宣布建立战略技术合作伙伴关系，共同致力于人造金刚石半导体技术的开发。此次合作涵盖了从衬底生产到电子元件制造的关键阶段，旨在通过掺杂层的外延技术，推动金刚石半导体在工业领域的广泛应用。
据了解，Diamfab将负责使用先进的晶体生长工艺对掺杂层进行外延生长，以及制造高性能组件。HiQuTe Diamond将贡献其在生产高质量金刚石衬底方面的专业知识，这些衬底经过优化，可最大限度地提高电力电子设备的性能。
图源：Diamfab官网
两家公司表示，由于地理位置接近和行业敏捷性，他们有信心加快技术迭代周期，迅速实现前所未有的技术和财务绩效。这一合作将使金刚石半导体技术更快地成为工业现实，为电气化的广泛采用和经济部门的脱碳提供有力支持。
Diamfab公司的首席执行官Gauthier Chicot表示：“金刚石半导体的性能水平比基于传统材料的组件高出10-40倍，是实现电气化和脱碳目标的关键。通过与HiQuTe Diamond合作，我们拥有意愿、技术和人力资源，在法国创造这个卓越的行业。”
HiQuTe Diamond公司的首席执行官Florent Alzetto也指出：“等离子体辅助CVD生长工艺可以生产出特别适用于电力电子要求苛刻的硼掺杂金刚石。这种可持续的工艺不仅确保了对物理特性的严格控制，还能有效应对性能挑战。我们和Diamfab的专业知识融合，为应对性能和能源效率方面的全球工业挑战提供了前所未有的机会。”
此前，Diamfab公司就在金刚石芯片技术上取得了进展，2024年3月获得870万欧元首轮融资，由Asterion Ventures、法国政府等投资者支持。同时，Diamfab在金刚石外延和掺杂技术上取得突破，拥有四项专利，专注于金刚石层生长、掺杂及电子元件设计。Diamfab的金刚石技术实现高电流密度和击穿电场，超越SiC等现有材料，计划2025年实现4英寸晶圆生产。
根据计划，两家公司将开始合作，使用Diamfab优化的金刚石外延技术，在HiQuTe Diamond衬底上制造第一个系列的垂直肖特基二极管。预计第一批原型将于2025年春季推出，这将标志着金刚石半导体技术在工业应用方面的重要突破。
参考来源：
Diamfab官网，中国粉体网
（中国粉体网编辑整理/轻言）
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