中国粉体网讯 随着半导体技术的飞速发展，材料创新成为突破性能瓶颈的关键。金刚石凭借其卓越的硬度、导热性及潜在的半导体特性，在半导体产业链中的多个环节中已展现出巨大的发展潜力和应用价值。其中，金刚石微粉作为磨抛料，以其超精密加工能力，显著提升了半导体晶片的表面质量和生产效率，成为半导体制造不可或缺的一环。
从2024半导体行业用金刚石材料技术大会组委会获悉，本届会议将于2024年12月24日在郑州举办。山东力冠微电子装备有限公司将出席本次大会，现场交流前沿技术、市场。
企业介绍
山东力冠微电子装备有限公司成立于2013年，同年6月正式成为中国电子专用设备工业协会会员；2018年11月，被山东省科技厅认定为“高新技术企业”；2019年3月被第三代半导体产业技术创新战略联盟评为副理事长单位，同年9月荣获中国创新创业大赛·国际第三代半导体专业赛优胜奖；2022年、2023年分别被山东省工信厅认定为“创新型中小企业”与“专精特新中小企业”。
作为一家国家高新技术企业，公司常年与国内知名半导体企业、科研院校等保持密切合作，公司产品涵盖第一代至第四代半导体材料工艺装备，均拥有自主知识产权，完全自主可控，被广泛应用于集成电路、功率半导体、化合物半导体、5G芯片、光通信、MEMS等新型电子器件制造领域。经过十年的发展，已成为一家集研发、生产、销售为一体的半导体材料工艺装备制造商。
部分产品介绍
1、液相法SiC长晶炉设备
产品概述液相法可以在更低的温度（＜2000℃）以下实现SiC单晶的生长，理论上更容易获得高质量的单晶。利用温度梯度作为生长驱动力来实现晶体的生长。
产品特点
晶体尺寸:6/8英寸
温度范围：温度1500-2100℃
真空度:1*10-3pa
提拉/坩埚杆：升降0.2-400mm/h，旋转0.5-50rpm
称重：6kg 精度：0.01g
2、LPCVD 卧式炉管设备
产品概述
LPCVD设备是半导体集成电路制造的重要设备之一，主要用于Poly, D/P Poly, SiN,SiO2薄膜的生长。
产品特点
装载采用碳化硅(SiC)悬臂桨，避免了与工艺管磨擦产生粉尘
温度控制采用串级控制方式，对基片实际温度进行实时智能控制
工作压力闭环自动控制，提高工艺稳定性和重复性
可根据客户需求配置多工艺组合的机台
技术指标
晶片尺寸：6/8英寸晶圆
制程温度范围：500°C-900°C
恒温区长度：≥800mm
控温精度：±1°C
3、MPCVD设备
产品概述
本设备主要是用于制备单晶金刚石。可激发高稳定度的等离子团，从而确保单晶生长的持续性，为合成大尺寸单晶金刚石提供有力保证。
技术指标
测温: 300-1500°C
极限真空：≤10Pa
气路系统: 6路
压力范围: 5-300Torr
微波功率: 0.5-15Kw连续可调
功率稳定性:<2%
波纹:≤1%
微波频率: 2450MHz士50MHz
微波泄露值:<5Mw/cm²
放电区域:≥100mm
沉积区域:≥80mm
生长速率: >12um
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会务组
联系人：刘文宝
电 话：13693335961（同微信）
Email ：1791805714@qq.com
