中国粉体网讯 在目前全球常规能源短缺的情况下，太阳能光伏发电成为绿色再生能源的重要组成部分，得到各国政府的大力扶持和发展。
在单晶硅的制备中，大都是利用切克劳斯基（Czochralski）法来制备（简称CZ法），特别是目前太阳能级单晶硅的生产中，几乎全都采用这种方法来制备单晶硅，以满足太阳能电池的需要。
在采用CZ法制备硅单晶的过程中，如何提高拉晶效率及降低能耗一直是节能降耗研究的重点，其中节能降耗的重要措施就是降低热场的热量损失，其中采用热屏（屏蔽热量扩散的装置）就是降低能耗并改善热场的一种非常有效的方法措施。
水冷热屏是热屏的其中一种，水冷热屏能够将单晶生长区域与外部环境隔离，形成一个相对稳定的温度场。另外，在直拉单晶生长过程中，水冷热屏对晶体取向具有导向作用。通过调整冷却水的流向和速度，可以改变晶体在生长过程中的取向，从而获得所需的晶体结构。
目前单晶炉在完成单根晶棒的拉制收尾取段或断线提出后，由于炉内的硅料不足，需要直接进行预热，加入硅石料块。但是由于炉内的硅料已完全熔化，呈液态，因此，在加入第一桶的硅石料块时，因液面无料块进行铺垫，硅石料块加入坩埚内时会导致溅硅，而溅起的硅点会飞溅到水冷热屏和/或坩埚壁上。后续在进行引放或等径工序时，由于需要放入惰性气体来进行保护，因此在将惰性气体冲入单晶炉中时，会把溅到坩埚壁以及水冷热屏上的硅点带入单晶炉的硅液中，从而对正在生产的硅棒造成污染，并进一步导致断线。硅点导致断线的原因在于：当硅点落入液面时，液面会产生表面张力，表面张力会使得液面收缩，从而形成一个凹陷。如果凹陷深度足够大，液面会断裂，形成断线，而断线的存在则会严重浪费工时，影响单晶硅的制备效率。
为了克服现有技术的不足，5月14日，高景太阳能公司公布了一项发明，发明提供一种用于降低单晶硅拉制过程加料溅硅的方法及系统，用于解决现有用于单晶硅拉制的复投加料方法由于易造成溅硅，从而导致硅棒污染，并造成断线的技术问题，从而达到通过大大降低复投加料过程出现溅硅的概率，提高单晶硅的制备效率的目的。
本发明方法及系统如下：
包括：设定单晶炉参数，发出取棒命令，并根据设定的单晶炉参数，调整主加热器和底加热器的功率；在接收到取棒命令后，单晶炉根据品质要求完成单根晶棒的拉制收尾取段或等径断线提出；判断单晶炉的主加热器的功率是否达到设定值，若否，则继续调整单晶炉的主加热器的功率，若是，则判断单晶炉的底加热器是否达到设定值；若否，则继续调整单晶炉的底加热器的功率，若是，则调整坩埚的旋转速率，以在硅液表面形成液面结晶片；对单晶炉进行预热，并在达到设定的预热时间后，进行复投加料，让料筒内的硅石料块落到液面结晶片。
参考来源：国家知识产权局
（中国粉体网编辑整理/星耀）
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