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京瓷
京瓷拟投资625亿日元扩建半导体零部件工厂以实现增产
京瓷4月20日宣布，将投资625亿日元扩建鹿儿岛县萨摩川内市的半导体零部件工厂。京瓷将在厂区内建设新厂房，计划2023年10月投入使用。随着高速通信标准5G普及、数据中心增加等，需求不断扩大，该公司将通过新建厂房，把半导体相关零部件的产能提高大约1成（按销售额计算）。
传京瓷将投资7.5亿元新建MLCC工厂，总产能将提升20％
因MLCC（片式多层陶瓷电容器）需求扩大，日本京瓷计划将投资150亿日元（约合人民币7.5亿元）在鹿儿岛国分工厂厂区内兴建新一座工厂，目标将其MLCC产能提高20%。报导称，一部智能手机将使用约1千颗MLCC，加上5G普及、车用通讯需求增加，推动MLCC需求持续扩大。目前京瓷在全球MLCC市场的市占率约6%，排名在第五位前后。排名第一的仍是日本村田。据悉京瓷新建的MLCC厂，将可以提高20%的产能，并且预计到2025年的MLCC营收将提升到2000亿日元，达到2021年时的两倍。
京瓷将整合欧洲精细陶瓷业务
京瓷株式会社（总裁：谷本秀夫）宣布，决定将其在欧洲的精细陶瓷业务整合为KYOCERA Fineceramics Europe GmbH（简称KFEG）。京瓷于2019年收购HCStarck Ceramics GmbH（现为KYOCERA Fineceramics Precision GmbH，简称：KFPG ，总部：Selb，Germany）。 同年，通过收购陶瓷和塑料部件制造商Friatec GmbH的陶瓷业务，成立了KYOCERA Fineceramics Solutions GmbH（简称： KFSG ，总部：德国曼海姆），从而扩大了氧化物陶瓷部件和金属化部件的业务范围。这使得扩大陶瓷零件的业务成为可能。近年来，随着精密陶瓷零部件需求的进一步增加，京瓷决定将这两家公司的精密陶瓷零部件销售部和核心欧洲子公司KYOCERA Europe GmbH（简称：KEG ，总公司：德国埃斯林根）迁至新KFEG.开拓销售渠道，拓展业务。
京瓷低热膨胀陶瓷基板材料GL570助力IC芯片实现高性能低功耗
随着5G的发展，高速处理大容量数据的需求不断增加，高性能计算机群（High Performance Computing，简称HPC）作为高性能数据处理的解决方案，被各个领域的公司和组织使用。现在，高性能计算机群（HPC）器件的基板材料主要使用有机材料，但随着IC芯片・Si转接板的大型化的推进，为了确保一次封装时以及一次封装后的可靠性，缩小与基板材料的热膨胀系数差异变得非常关键。京瓷开发的低热膨胀陶瓷基板材料GL570，热膨胀系数与Si接近，同时又具有高刚性，是适用于高性能计算机群（HPC）中大型化IC芯片或Si转接板的一次封装，且能确保可靠性的材料。
京瓷制GL570基板
京瓷将扩大半导体投资，增至98亿美元
京瓷将扩大对半导体的投资，在截至2026年3月的三个财年内将总投资和研发支出资本增加至1.3万亿日元（97.8亿美元），大约是截至2023年3月的前三年支出的两倍，因为京瓷预估芯片市场将不断扩大。消息称，该公司还将筹集资金，首次抵押其KDDI（日本电信公司）股票，同时借款高达1万亿日元。京瓷计划在保持无债务管理政策的情况下，转向对包括陶瓷元件在内的领域的积极投资。
村田
日本MLCC大厂村田宣布3亿美元并购美国Resonant
2月15日，日本生产MLCC等零件的电子大厂村田制作所宣布，决定买下美国合作伙伴Resonant。村田将透过公开收购(TOB)进一步取得Resonant股份，并购费用估计约3亿美元。
石原产业株式会社将联合村田建厂生产MLCC用钛酸钡
9月16日，石原产业株式会社在官网宣布，为提高钛酸钡的生产能力，公司及全资子公司富士钛工业株式会社将联合村田制作所成立合资公司，用以生产MLCC使用的钛酸钡。
投资21.88亿元，村田宣布在无锡建MLCC材料工厂
11月7日消息，被动元件大厂村田制作所宣布，旗下位于中国的子公司无锡村田电子有限公司已于2022年11月在无锡动工兴建MLCC材料新厂房，增产MLCC用关键材料"陶瓷片材"，该座新厂预计2024年4月底完工，总投资额约445亿日元（约合人民币21.88亿元）。
村田制作所的积层陶瓷电容器的生产线
将汽车用1005M尺寸电容器中的4.3µF超大静电容量3端子多层陶瓷电容器商品化
近年来，伴随着ADAS（高级驾驶辅助系统）和无人驾驶等汽车的高性能化和多功能化，配备在汽车上的传感器和处理器的数量不断增加，并且它们正常运行所需要的多层陶瓷电容器的数量也在增加。预计这种趋势今后将进一步加剧，为了减小贴装面积并提高可靠性，通过小型大容量化及降低ESL来改善高频特性的需求越来越强。如今备受瞩目的3端子多层陶瓷电容器的ESL比一般的2端子多层陶瓷电容器更低，因此能够以更少的元器件数量降低高频阻抗。由于这个特性，它主要使用在配备了ADAS的汽车中，并且使用量在不断增加。ADAS搭载了高速处理器、需要小型化和高密度化。村田通过使用特有的将陶瓷和电极材料进行微粒化和均质化的薄层成型技术和高精度层压技术，在1005M尺寸汽车用3端子电容器当中实现了超大的4.3µF静电容量。该静电容量是传统产品的4.3倍，因此有助于实现车载设备的进一步小型化和高密度化。
德山
在柳井市开设氮化铝填充物大规模生产研究设施的基地
Tsukiyama公司（总部：日本山口县顺南市（总裁：横田浩史）宣布，将在山口县柳井市的先进技术商业化中心建立一个高散热氮化铝填充物的大规模生产试验设施，用于功率半导体、大功率LED绝缘散热基板和半导体制造设备的零部件。近年来，随着电子设备的小型化和高密度安装，控制功率的设备的负担也在增加。热量的增加不仅会影响设备的性能，而且会影响装有这些设备的电子设备本身的性能，从而缩短使用寿命。日立Zosen一直在从事氮化铝业务，这是一种高散热材料，并开发了适合各种应用的产品，如由氮化铝粉末、颗粒和粉末烧结而成的“Shepal”陶瓷。
NGK
NGK将向Sakuu提供3D打印固态电池用陶瓷材料
美国固态电池开发商Sakuu与日本综合性陶瓷加工制造商NGK公司签订了谅解备忘录。根据备忘录，NGK将共同开发和提供陶瓷材料，以用于Sakuu生产的固态电池。Sakuu采用3D打印形式生产锂金属固态电池，其3D打印技术融合了粉末床和喷射材料沉积技术，并使用多种材料来制造零件。Sakuu表示，与传统锂离子电池相比，3D打印固态电池体积减小了一半，重量也减少三分之二。NGK是全球领先的陶瓷材料厂商，近年来，其依靠长年累积的陶瓷技术，积极发展全固态电池技术，并计划同步展开电池事业与材料事业的拓展。在材料事业方面，将以供应粉末状固体电解质为主，今年上半年NGK曾表示已有电池制造商或新创企业的商务洽询。
赛琅泰克
赛琅泰克推出450兆帕抗弯强度HP系列氮化铝基板
CeramTec（赛琅泰克）在德国纽伦堡举办的PCIMEurope 2022 贸易展览会上展示了新型高性能HP（HighPerformance）系列氮化铝基板，而HP的高性能主要体现在其高达450MPa的优异抗弯强度上。据悉，HP系列开发大约耗时两年。实现高抗弯强度的同时，必须确保即使在极端热循环期间，导电金属化层也不会从陶瓷基板上脱落，从而达成器件可靠性。除了热导率可达170W/mK，抗弯强度达450MPa，再就是与硅材料同样水平的热膨胀系数，价值出色的电绝缘能力和＞15kV/mm的介电强度。
东曹
Tosoh SMD，Inc.是总部位于美国俄亥俄州州的Tosoh Corporation的全资子公司，其宣布决定扩建溅射靶材制造设施。溅射靶材由东曹公司的先进材料业务部门管理，在电子领域用作薄膜沉积材料。应用包括半导体、平板显示器和太阳能电池。预计未来对东曹溅射靶材的需求将继续增长。2021年7月，东曹SMD，Inc.开始增加产能以应对半导体市场薄膜沉积材料的短缺，随后看到了超出此前预期的潜在需求增长，公司决定扩大生产设施，不仅是为了应对客户需求，也是为了建立能够保持稳定供应的制造基地。通过实施这一产能提升，东曹集团将继续应对快速增长的需求，并加强其先进材料业务的盈利能力。
资讯来源：界面新闻、芯智讯、集微网、财联社、盖世汽车、南极熊3D打印、CERADIR、日本京瓷、东曹、德山等。
（中国粉体网编辑整理/平安）
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