百科:高导热氮化铝/氮化硅复相陶瓷


来源:中国粉体网   山川

[导读]  利用AlN做添加剂在改善氮化硅陶瓷的热导率方面有何进展?

中国粉体网讯  近年来,随着航空航天技术的快速发展,人们不仅要求材料具有高强度、高硬度、耐磨损、耐高温、抗热震、耐氧化、耐酸碱腐蚀等,还要求尽量减轻材料的自重,以尽可能降低燃料消耗。相比传统的高温金属结构材料,先进陶瓷材料具备低密度、高强度、高硬度、耐磨损、耐腐蚀等优点,可以用于制造一些金属材料和高分子材料无法胜任的高温结构部件,从而推动了陶瓷材料的进一步发展。

 


(高导热氮化硅基片,来源:中材高新)

 

在这些先进的陶瓷材料中,氮化硅陶瓷因在高温下仍具有高强度、高硬度、耐磨损以及耐腐蚀等优良性能,已成为航空航天、高温发动机等高科技领域较为合适的候选材料。但氮化硅作为一种共价键结合的化合物,存在热导率低,抗热震性较差等缺点,严重制约了其应用。为解决该问题,科研工作者从氮化硅原料、烧结助剂种类、烧结工艺等方面探索改善氮化硅陶瓷的热导率和抗热震性。此外,研究者还发现,通过引入添加剂也可以有效地改善氮化硅陶瓷的热导率和抗热震性。AlN因具有热导率高和热稳定性好等优点,可以作为添加剂使用。目前,利用AlN做添加剂来改善氮化硅陶瓷的热导率和抗热震性的研究较少,且不同烧结工艺和烧结助剂对其性能的影响明显不同。因此,非常有必要进一步探索AlN对氮化硅陶瓷性能的影响。

 

张琳以氮化铝和氮化硅微粉为主要原料,制得AlN/Si3N4复合陶瓷。实验发现,在AlN/Si3N4复合陶瓷中,当AlN添加量范围为5-30wt.%时,随着AlN添加量增加,热导率先提高后下降,当AlN添加量为20wt.%时,复合材料的相对密度达96.3%,抗弯强度为356MPa,热导率达到34W/(m·k)。

 

宋歌等以d50=0.5μm的α-Si3N4为原料,AlN(d50=1μm)为添加剂,Y2O3和MgO(d50=5μm,d50=10μm)为烧结助剂,利用无压烧结法制备了氮化硅陶瓷,研究了AlN添加量(w)分别为0、5%、10%、15%和20%时对氮化硅陶瓷试样显微结构和性能的影响。结果表明,AlN促进了氮化硅陶瓷中α-SiAlON相和β-SiAlON相的生成,并随着AlN含量的增加,部分β-SiAlON相向α-SiAlON相转变。此外,氮化硅陶瓷的相对密度、热导率和抗热震性能随着AlN含量的增加先升高后降低;当AlN含量为15%(w)时,氮化硅陶瓷的综合性能最佳,相对密度为97.14%,热导率为39.1W·(m·K)-1,热震残余强度为224MPa。

 

参考来源:

[1]宋歌等.AlN添加量对氮化硅陶瓷显微结构和性能的影响

[2]张琳.高热导率AlN/Si3N4复合陶瓷材料制备技术及性能研究


(中国粉体网编辑整理/山川)

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作者:山川

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