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【前言】
“你有你的铜枝铁干，像刀，像剑，也像戟；
我有我红硕的花朵，像沉重的叹息，又像英勇的火炬。
我们分担寒潮、风雷、霹雳；
我们共享雾霭、流岚、虹霓。
仿佛永远分离，却又终身相依。”
舒婷的这首《致橡树》用来形容携手奋进，为半导体科研事业付出了一辈子心血的中国科学院院士王圩、吴德馨这对院士伉俪再适合不过了。从参加工作到今天，历经近60年风雨，他们始终把为祖国半导体事业的发展奉献力量作为奋斗的目标。
2015年金婚纪念日留影
王圩院士
王圩，男，1937年12月25日出生于河北省，毕业于北京大学物理系半导体专业。
￭1960年，毕业于北京大学物理系半导体专业。
￭1960年，到中国科学院半导体研究所工作至今，现任中科院半导体研究所研究员。
￭1987年赴日本东京工业大学访问研究一年。
￭1997年，当选中国科学院院士。
￭2001年—2005年，负责在研的项目是：国家“973”项目:“新型量子阱功能材料和器件”。
￭2002年—2004年，国家自然基金重大项目:“光网络用光放大器、电吸收调制器和模斑转换器串接集成材料与器件的研究”。
吴德馨院士
吴德馨，女，半导体器件和集成电路专家，1936年12月20日生于河北乐亭，中国科学院微电子中心研究员。
￭1936年12月20日，生于河北乐亭。
￭1961年毕业于清华大学无线电电子工程系。
￭1991年当选为中国科学院院士（学部委员）。
￭1992年被国家科委聘为“深亚微米结构器件和介观物理”项目首席科学家。
吴德馨院士从事砷化镓微波集成电路和光电模块的研究，曾获国家和中科院一等奖3项。
相遇——经常交流慢慢就有了好印象
1956年国家开始编制《十二年科学技术发展规划》（《1956~1967年科技发展规划》），这是新中国第一个长期科技发展规划，提出对当时国家新技术发展的“四项紧急措施”——计算机、电子学、半导体、自动化，要求相关部门集中全国科技力量，进行人员培养和科技攻关。由此，中科院物理研究所半导体研究室成立，1960年，在研究室为基础，扩大为中科院半导体研究所。上世纪60年代初，同为半导体专业的王圩（1960年毕业）、吴德馨（1961年毕业）先后毕业分配到中科院半导体研究所。据两位院士在一次采访中透露。
王圩：相识是很自然的过程。我们毕业之后都被分配到了半导体研究所。她在器件室，做硅的器件，晶体管之类。我在林兰英先生领导下的材料室，最初来到所里是做硅单晶。他们需要硅单晶作为基片来做晶体管。她就总要到我们组里来要材料，这样就认识了。
吴德馨：是，材料有了问题还得找他们研究改进，经常交流慢慢就有了好的印象。
1967年 年轻时期的他们
相互扶持与理解
王圩：生活上没得说，就是相互扶持。那时候搞研究也是加班加点，老人又年纪大了，家庭负担比较重，孩子不到一岁就送了全托。
研究上，我做光电子，她做微电子，有很多地方可以互相交流。比如她现在做的垂直腔面发射激光器（VCSEL），有些就跟我们原来做的通信光电子器件差不多。所以我们会经常交流，我会给她提很多意见，在研究上互通有无。在家里也经常聊，有共同语言，能说一块去。
吴德馨：就是互相支持吧。我忙了，他就负责家里的事，他忙了，就是我负责家里的事，互相理解。我当年做存储器的时候，有时候就睡在实验室地板上，不回家，孩子都是他管。
那一年他在日本做访问学者，我在109厂做引进的进口设备验收工作，自己带着两个孩子。每天早上来，晚上九点多才能回家，两个孩子只能在外面小摊上买点吃的。我回不了家，也没有电话没法通知孩子，也没汽车，要倒3次公交车才能到家，孩子就在大门口台阶上等。所以做完了4K，验收完了真是全家欢呼。
两位院士的研究工作
据吴德馨院士讲述，最开始她在王守觉先生领导下负责做硅平面型高速开关晶体管，做出来之后开关速度、阈值电压等指标跟国际同类产品水平差不多，后来推广到了109厂（我国第一个半导体器件生产厂），又推广到全国。后来这个器件用到了“两弹一星”用的计算机——109乙机上。
￭1975年，半导体所开始做大规模集成电路，他们做出4K位的动态存储器，后来相继做出来16K位、64K位的动态随机存储器。
￭1980年代末期，自主开发成功了3微米的CMOSLSI全套工艺技术，用于专用电路的制造。从3微米，到2微米、1微米，再到0.8微米……这么一直做下来。
￭1990年代，独立自主开发出了全套的0.8微米CMOS工艺，并应用于实用电路的开发。
此外，他们还研究开发以砷化镓为基底的化合物半导体器件、电路。
经过不断努力，他们还做出了0.1微米砷化镓/铝镓砷异质结高迁移率场效应晶体管，截止频率达89GHZ；研究成功了砷化镓/铟镓磷异质结双极型晶体管（HBT），截止频率达92GHZ；还在国内首先研制成功了全功能砷化镓/铟镓磷HBT 10Gpbs光纤通信光发射驱动电路等等。与此同时，他们利用MEMS结构实现了激光器和光纤的无源耦合，成功做出了工作速度达2.5Gpbs的光发射模块；垂直腔面发射激光器（VCSEL）。
王圩院士说：“我最初做硅材料，研究硅单晶，后来根据国家需要开始做Ⅲ-Ⅴ族化合物，做外延研究，就是研究在一个衬底上做几个微米的Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜，后来又在这个基础上做扩散p/n结化合物激光器。我一开始是在材料室，只做材料，但做的过程中发现激光器的结构和材料的生长是分不开的，在材料生长的过程中就把一部分器件结构长出来了，所以既要懂材料，又要懂器件设计，两者密不可分，还是放在一起比较好，于是我就调到器件室了，又做材料又做器件。”
￭1979年底，及时地开展了InP基长波长激光器的研究工作，成立了由彭怀德负责的1.3微米激光器研究组和由我负责的1.55微米激光器研究组。
￭1981年，率先在国内得到了室内连续工作的1.55微米激光器。
￭开发出一种在高频调制下仍然可以单模工作的动态单模（DSM）激光器作为光信号源。
￭1988年底，研制出了国内首批1.55微米动态单频分布反馈（DFB）激光器，解决了国内发展第三代长途干线大容量光纤通信的急需。
资料来源：
￭为了中国的半导体事业——访中国科学院院士吴德馨、王圩
￭百度百科
