中国粉体网讯 4月9日，世纪金芯宣布他们实现了8英寸SiC关键技术突破！
世纪金芯在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。2024年2月，世纪金芯半导体8英寸SiC加工线正式贯通并进入小批量生产阶段，在8英寸SiC衬底量产方向更进一步。
工艺技术方面，世纪金芯半导体采取了独特的保温设计和先进的热场分区结构，开发出适用于8英寸SiC稳定生长的工艺技术，逐步减少生长温度、时间、气压、功率等参数变化量，获得可重复性稳定参数，大幅提升了长晶的稳定性、重现性。突破了大尺寸、低应力等碳化硅晶体制备关键技术。
产品方面，世纪金芯半导体开发的8英寸SiC单晶生长技术可重复生长出4H晶型100%、直径大于200mm、厚度超过10mm的晶体。8英寸加工线也同步建成，将配套8英寸单晶生长。通过进一步优化工艺，预期公司的8英寸SiC晶锭厚度将达到20mm以上。
近年来，世纪金芯不断加大碳化硅研发力度与项目布局，逐步巩固研发生产优势。公司产品覆盖6英寸、8英寸的SiC衬底片以及其他第三代半导体材料的布局研究。
项目方面，2023年年底，世纪金芯全资子公司宇海电子“年产能70万片6-8英寸SiC单晶衬底项目”已经在包头发改委完成备案审批。此外，2022年9月，世纪金芯年产3万片6英寸碳化硅单晶衬底项目在合肥正式投产。
合作方面，世纪金芯已获得十几家客户青睐，2023年12月，世纪金芯与湖南S公司已正式签订SiC衬底的战略合作协议，双方围绕SiC单晶衬底在业务和技术方面推行战略合作。另外，6英寸方面，世纪金芯6英寸碳化硅衬底片已与国内几家头部外延及晶圆厂商达成订单合作；8英寸方面，世纪金芯与中国台湾HY、JJ、韩国GJ实验室、SX等公司进行产品验证，与日本FG等单位进行8英寸衬底片的产品验证。
来源：世纪金芯官网、行家说三代半
（中国粉体网编辑整理/空青）
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