中国粉体网讯 10月16日，据艾森达发布消息，为满足客户需求，艾森达已经开始实施氮化硅陶瓷基板扩产方案，继续采购国际知名制程设备用以保证产品质量和稳定性，同时提高生产自动化能力以及各种可靠性测试能力，形成氮化硅10万片的自动化的生产线，预计2024年上半年达成，为下游客户的快速发展提供稳定的核心原材料。
艾森达使用国际先进的生产设备，自主研发高品质氮化硅陶瓷基板，适用于功率半导体AMB陶瓷覆铜板，已通过多家国内外客户认证，艾森达氮化硅陶瓷基板热导率达到80-90W/m·k，抗弯强度＞700MPa，并且可同时用于AMB焊片和焊料两种工艺，剥离强度＞100N/cm，高低温循环冲击5000次无孔洞，满足下游企业对基板性能的需求。目前艾森达138*190*0.32规格的氮化硅陶瓷基板月产能在4-5万片左右。
氮化硅是国内外公认兼具高导热、高可靠性等综合性能最好的陶瓷基板材料，氮化硅基板具有优异的高热导率、低热膨胀系数和高抗热震性，力学性能优异，其抗弯强度和断裂韧性是氮化铝和氧化铝的2倍以上，成为大功率第三代半导体的关键材料之一，随着5G时代不断发展，航天航空、轨道交通、电动汽车、光伏逆变、智能电网等多种场景都需要氮化硅陶瓷基板的应用。
艾森达研发团队自2020年开始进行氮化硅基板的潜心研发，目前已突破即烧型氮化硅基板的流延、排胶、烧结、后处理等技术工艺瓶颈，实现氮化硅基板的量产化，形成了不同粉体的氮化硅基板系列产品，满足下游企业对基板性能的不同需求。
宁夏艾森达新材料科技有限公司在株洲市各级政府和集团母公司湖南湘瓷科艺有限公司的大力支持下，于2021年在株洲天易工业园投资新建株洲艾森达新材料科技有限公司氮化铝/氮化硅、HTCC生产基地，目前已实现氮化硅基板120万片/年，氮化铝基板300万片/年的产能。艾森达不断进行技术进步，在高热导氮化硅基板、低成本氮化硅基板方面持续突破，满足不同客户的需求，成为IGBT功率半导体专业基板配套企业。
来源：株洲艾森达公众号
（中国粉体网编辑整理/空青）
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