中国粉体网讯 三菱电机日本福山功率器件工厂完成首条12英寸硅晶圆加工生产线的安装，计划2025财年开始在12英寸硅晶圆新产线上量产，稳定供应功率半导体器件，同时布局第四代宽禁带半导体材料氧化镓，接下来将继续研究氧化镓功率芯片和功率器件。
12英寸硅晶圆（左）和8英寸晶圆（右）
8月29日，三菱电机宣布其位于日本福山的功率器件工厂完成首条12英寸硅晶圆加工生产线的安装，样品生产和测试验证了该生产线加工的功率半导体芯片达到了要求的性能水平。三菱电机计划2025财年开始在新的12英寸硅晶圆线上大规模生产，推动稳定供应功率半导体器件。功率半导体又称电力电子器件，其典型的功率处理功能包括变频、变压、变流、功率放大、功率管理等。三菱电机成立于1921年，开发和生产半导体67年，功率半导体是其业务增长的主要动力，其半导体产品应用于变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域。
“三菱电机将集中精力开发12英寸硅晶圆和8英寸碳化硅（SiC）晶圆。”三菱电机半导体大中国区总经理赤田智史8月30日表示。今年3月，三菱电机宣布将在2026年3月前的五年内投资约2600亿日元，主要用于新建晶圆厂，增加碳化硅功率半导体的生产，并计划2026年4月开始稼动位于日本熊本县菊池市的8英寸碳化硅晶圆新工厂。
位于熊本县合志市的6英寸碳化硅晶圆厂也要扩产，到2026年碳化硅产能预计扩大到目前的5倍左右。赤田智史表示，预计到2030年，三菱电机碳化硅功率模块营收占比将提升到30%以上。
三菱电机也在布局研发第四代宽禁带半导体材料氧化镓。今年7月，三菱电机宣布入股成立于2015年的Novel Crystal Technology，该公司主要开发新型半导体材料氧化镓。双方将合作开发氧化镓功率半导体，三菱电机功率器件制作所高级技术顾问近藤晴房表示，碳化硅功率模块的商业化应用已超10年，现在是时候导入新的宽禁带材料了，作为新型半导体材料，氧化镓肯定会面临很多技术挑战，三菱电机接下来将继续研究氧化镓功率芯片和功率器件。
（中国粉体网编辑整理/空青）
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