中国粉体网讯 成本高，一直是碳化硅器件被吐槽的诟病。因为碳化硅在生产环节中存在单晶生产周期长、环境要求高、良率低等问题，碳化硅衬底生产中的长晶环节需要在高温、真空环境中进行，对温场稳定性要求高，并且其生长速度比硅材料有数量级的差异。因此，碳化硅衬底生产工艺难度大，良率不高。
这直接导致了碳化硅衬底存在价格高、产能低的问题。
目前，主流碳化硅衬底尺寸为6英寸，8英寸衬底正在成为行业重要的技术演化方向。根据中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟的预测，预计2020-2025年国内4英寸SiC晶圆市场逐步从10万片减少至5万片，6英寸晶圆将从8万片增长至20万片；2025-2030年，4英寸晶圆将逐步退出市场，6英寸增加至40万片。
从技术进展来看，国产碳化硅厂商基本以6英寸碳化硅晶圆为主，而Wolfspeed、ROHM、英飞凌、ST等国际碳化硅大厂已经纷纷迈入8英寸，并将量产节点提前到今年。可以看出，目前碳化硅衬底市场以海外厂商为主导，国内企业市场份额较小。虽国内尺寸迭代较海外厂商略慢一筹，但近年来发展提速明显。
2023年4月，科友半导体8英寸SiC中试线正式贯通，并进入中试线生产。
近日（6月22日），科友半导体宣布，他们突破了8英寸SiC量产关键技术，在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。
8英寸产品展示
尺寸和厚度方面，科友半导体在6英寸晶体厚度超过40mm的基础上，8英寸晶体直径超过210mm，厚度目前稳定在15mm以上。
缺陷控制方面，科友半导体8英寸晶体微管密度＜0.1个cm-2，位错缺陷密度＜5000个cm-2，晶体质量处于行业领先水平。
生长速度方面，科友半导体基于高热场稳定性、高工艺稳定性、和高装备稳定性，突破了8英寸SiC晶体快速生长工艺技术，长晶速率已达到170μm/h以上，长晶周期约为4-5天，单台长晶炉设备每月运转约6-7炉次。
产品良率方面，科友半导体以6英寸晶体为基础，开发出适合于8英寸SiC稳定生长的工艺技术，大幅提升了长晶的稳定性、重现性。
目前，科友半导体突破了8英寸SiC量产关键技术，8英寸SiC中试线平均长晶良率已突破50%，晶体厚度15mm以上，有望打破国际封锁，成为我国大尺寸低成本碳化硅规模化量产制造技术的领跑者。
来源：科友半导体、虎嗅网
（中国粉体网编辑整理/空青）
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