中国粉体网讯 经过将近30年的发展，作为功能薄膜制备中的一项关键技术，原子层沉积（ALD）技术在催化、半导体、光学等众多领域都发挥着十分重要的作用。
ALD最初用于平板显示器所需的多晶荧光材料ZnS、Mn以及非晶Al2O3绝缘膜的研制。20世纪90年代中期，硅半导体的发展使得原子沉积的优势真正得以体现，掀起了人们对ALD研究的热潮。发展至今，ALD已经成为应对半导体器件技术小型化的要求的重要技术，在半导体领域有着广泛且重要的应用。
ALD技术的特征及优势
ALD技术在半导体中的应用
根据摩尔定律，要求半导体器件尺寸的不断减小，而ALD技术以其优异的保型性和均匀性、高的台阶覆盖率和速率可控性，使其在半导体产业中得到广泛应用，包括：晶体管栅极电介质层(高k材料)，光电元件的涂层，晶体管中的扩散势垒层和互联势垒层(阻止掺杂剂的迁移)，有机发光显示器的反湿涂层和薄膜电致发光(TFEL)元件，集成电路中的互连种子层，DRAM和MRAM中的电介质层，集成电路中嵌入电容器的电介质层，电磁记录头的涂层，集成电路中金属-绝缘层-金属(MIM)电容器涂层等。
高k电介质
一种可取代SiO2作为栅介质的材料，它具备良好的绝缘属性，同时可在栅和硅底层通道之间产生较高的场效应（即高-k）。
k（希腊文Kappa）是一个工程术语，描述一种材料保有电荷的能力。有些材料比其他材料能够更好地存储电荷，因此，拥有更高的“k”值。
另外，由于高k材料比SiO2更厚，并且保持着同样理想的属性，因此，它们可以大幅减少漏电量。
ALD是一种较好的可以制备高k电介质材料的技术，目前主要包括TiO2、HfO2、Al2O3三种材料，以及稀土元素氧化物和一些硅酸盐混合的纳米层状结构材料。
电容器
电阻随机存取存储器（RRAM）
非易失性存储器更高密度、更快速度和低功耗的要求推动了基于Si集成电路（ICs）和计算机处理器的空间持续缩减。当技术节点进入22纳米级时，传统的闪存技术将达到其物理和集成的限制，因此许多新的类型的存储器应运而生。其中，电阻随机存取存储器（RRAM）以其单元结构简单、功耗和制造成本低、可扩展性优良和兼容性优异脱颖而出。目前RRAM应用氧化物材料主要有NiOx、TiO2、ZrO2、HfO2、Ta2O5、ZnO和MnOx等。
二极管
使用ALD方法制备的二极管表面材料主要有ZnO、ZrO2和Al2O3等。İkram Orak通过ALD法制备了ZnO薄膜，并研究了其在光电二极管和二极管上的应用性能。结果表明，ZnO薄膜结构可以应用于光伏和光电二极管。
晶体管
薄膜晶体管（Thinfilmtransistors，TFTs）作为场效应晶体管的一种，是通过沉积介电层，有源层及金属电极等功能薄膜而制备的三端场效应器件。ZnO是一种在平板显示领域非常有前景的n型半导体材料，在较低的温度下易形成良好的纳米结晶。以ALD工艺为基础，ZnO基为半导体层的薄膜晶体管器件被广泛研究。
IC互连技术
因为Cu具有良好的导电性和抗电迁移能力，且能够在低温下进行沉积，所以目前Cu工艺已经取代Al工艺成为互连技术的主流技术。但Cu高温下在Si中有极高的扩散系数，扩散到Si中会形成能级复合中心，降低Si的少数载流子寿命使器件的性能发生退化，利用ALD技术可在Si沉底表面沉积阻挡层克服其缺点。
参考来源：
[1]苗虎等.原子层沉积技术及应用
[2]杨军.基于原子层沉积技术的氧化锌基薄膜晶体管制备及稳定性研究
[3]魏呵呵等.原子层沉积技术的发展现状及应用前景
（中国粉体网编辑整理/山川）
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