中国粉体网讯 作为A股IGBT龙头，斯达半导（603290）时隔三个月再度出手，拟通过非公开发行募资，再度加码碳化硅等项目。
3月2日晚间，斯达半导披露定增预案显示，该上市公司拟发行不超过1600万股，募资不超35亿元，用于高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目、功率半导体模块生产线自动化改造项目、补充流动资金。
重点投向碳化硅
按照发行上限测算，斯达半导实控人沈华、胡畏夫妇共计持股比例为40.49%，仍为实际控制人。
自2020年2月上市以来，斯达半导股票累积涨幅超过18倍，最新收盘价报收250.18元/股；坐上A股IGBT功率半导体龙头位置的斯达半导，IGBT模块作为主营业务，占比超过95%以上。
在此次募投项目中，将有近6成资金投向了高压特色工艺功率芯片和SiC（碳化硅）芯片研发及产业化项目。
在上述项目中，斯达半导计划通过新建厂房及仓库等配套设施，购置光刻机、显影机、刻蚀机、PECVD、退火炉、电子显微镜等设备，实现高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化。项目达产后，预计将形成年产36万片功率半导体芯片的生产能力。
作为第三代半导体代表之一，SiC的发展有助于新能源汽车核心器件的国产化，以及改善智能电网、轨道交通等基础设施关键零部件严重依赖进口的局面。
据介绍，SiC功率器件具有降低损耗，减小模块体积重量的特点。随着新能源汽车市场迅速发展，SiC功率器件在高端新能源汽车控制器中大批量应用。2018年特斯拉的主逆变器开始采用SiC MOSFET方案，随后采埃孚、博世等多家零部件制造商以及比亚迪、雷诺等汽车生产商都宣布在其部分产品中采用采用SiC MOSFET方案，让SiC功率器件市场前景十分广阔。
据IHS预测，受新能源汽车行业庞大的需求驱动，以及光伏风电和充电桩等领域对于效率和功耗要求提升的影响，预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美元，2018-2027年的复合增速接近40%。
布局新能源汽车
2020年12月，斯达半导就发布公告称，拟投资建设全碳化硅功率模组产业化项目，项目计划总投资2.29亿元，投资建设年产8万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心，项目将按照市场需求逐步投入。
有业内人士向记者介绍，碳化硅器件在驱动电容电阻领域的生产工艺和技术已经日趋成熟，被认为是可以代替IGBT，但是成本较贵；从功率模组封装工艺上来说，碳化硅模块的封装工艺要求比IGBT模块要求更高，斯达半导模块封装技术面临新的考验。
斯达半导指出，未来可能在碳化硅领域面临激烈的市场竞争，虽该公司可以大批量供应汽车级IGBT模块和SiC模块，但是目前众多国内企业开始介入该领域。虽然该行业的门槛较高，但部分国内竞争对手技术不断积累，国外厂商内部整合，不断扩大自身影响力，进一步蚕食市场资源。
中金公司研究指出，新能源车全球普及加速，为碳化硅产业落地迎机遇。目前，碳化硅行业发展的痛点在于行业发展仍属初期，衬底材料高昂的制备成本和较低的良率带来的高售价。但是预计随着技术成熟及供应商产能扩张，碳化硅的成本有望实现快速下降，未来五年时间将在电控、车载充电机、DC/DC、快充桩等多个应用场景替代Si-MOSFET/Si-IGBT。
据测算，到2025年仅中国新能源车及充电桩对于SiC的产能需求超100万片6寸晶圆，器件市场规模超过60亿元，为本土企业发展提供了广阔的成长空间。因此建议关注斯达半导、三安光电、闻泰科技、新洁能以及晶盛机电、北方华创、华峰测控。
（中国粉体网编辑整理/山川）
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