中国粉体网讯 据媒体报道，业内消息人士称，台积电(TSM.US)和三星电子在各自的3nm制程技术开发中都遇到了不同但关键的瓶颈。
3nm的延期可能意味着，5nm节点的服役寿命将更长，同时会在英特尔(Intel，INTC.US)先进制程技术研发上预留更多时间，给予其更多喘息并追赶的机会，后者目前量产的最先进工艺是10nm，7nm的服务器产品将会在2022年推出。
实际上，5nm之后晶体管微缩的困难度就多了更大量级，碳纳米管、埃米还处于纸面预研阶段。
当然，由于还有一年多的时间，理论上台积电和三星还有时间解决问题，仍要保持乐观。
在台积电第26届技术研讨会上，台积电揭秘其3nm工艺节点的更多细节，并分享了5nm后续产品N5P和N4工艺节点的相关进展。
台积电在先进制程领先的道路上一往无前，计划3nm技术于2021年进入风险生产、在2022年开始量产，而英特尔的7nm预计最早推出也要到2022年末。
据介绍，相较5nm N5工艺，相同功耗下，台积电3nm N3性能可提高10-15%;相同性能下，N3功耗可降低25-30%;N3的逻辑密度、SRAM密度、模拟密度分别是N5的1.7倍、1.2倍、1.1倍。
媒体称，三星3nm的量产时间——2022年，这一时间点与台积电的计划保持一致。该公司去年公布“半导体愿景2030”，希望通过巨额投入在2030年超越台积电。
这家韩国厂商还希望在这方面取得更大优势，其3nm将采用Gate-All-Around(GAA)技术，这一技术可以更精确地控制通道间的电流，缩小芯片面积，降低功耗。
目前很难预测这两个代工厂的发展问题将产生什么影响。如果延迟将台积电和三星的量产推迟数周或数月，则最终客户可能不会产生过大的负面影响。另外，延期还有一个潜在影响是给Intel喘息并追赶的机会，后者目前量产的最先进工艺是10nm，其核心指标大约相当于台积电、三星的7nm，Intel的7nm将首发于服务器产品，2022年早些时候见。
（中国粉体网编辑整理/山川）
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