中国粉体网讯 被外界称为对标台积电7nm工艺的中芯国际N+1工艺近期再获新突破。据10月11日报道，我国一站式IP定制芯片企业芯动科技（INNOSILICON）发布消息称，该公司已完成全球首个基于中芯国际FinFETN+1先进工艺的流片和测试，所有IP全自主国产，且功能测试一次通过。
所谓完成芯片流片，也就意味着该制程工艺已经具备有意义的“良品率”，并且可以尝试进行批量生产。截至发稿，中芯国际港股涨超10%，成交额超9亿港元。
此次成功流片是芯动科技与中芯国际“强强合作”，突破N+1工艺瓶颈的成果。自2019年开始，芯动科技就在中芯国际N+1工艺尚待成熟的情况下，投入数千万进行优化设计，并投入技术团队全程攻坚克难，成功助力中芯国际突破N+1工艺良率瓶颈。
在今年3月底，中芯国际也表示，先进工艺正是中芯国际今年发展的重点，接下来该公司会转向下一代工艺——N+1及N+2代FinFET工艺的研发。
N+1工艺是中芯国际再第一代先进工艺14nm量产后，第二代先进工艺的代号。据透露，与14nm相比，N+1工艺有了更大的突破——性能提升20%、功耗降低57%以及逻辑面积缩小63%等；而在N＋1之后，中芯国际还将着手研发性能更高的N+2。
总的来说，此次全球第一款基于中芯国际N+1工艺芯片流片成功，为实现大规模量产迈出了坚实一步，也为国产芯片的发展增添了力度。
（中国粉体网编辑整理/山川）
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