投资150亿元 无锡先导集成电路装备与材料产业园完成签约


来源:中证网

[导读]  2月21日下午,无锡先导集成电路装备与材料产业园签约仪式顺利举行。仪式上作为产业园的首个落户项目,吴越半导体氮化镓衬底及芯片制造项目正式签约。

中国粉体网讯  据公众号“无锡高新区在线”消息,2月21日下午,无锡先导集成电路装备与材料产业园签约仪式顺利举行。仪式上作为产业园的首个落户项目,吴越半导体氮化镓衬底及芯片制造项目正式签约。

无锡先导集成电路装备与材料产业园项目规划占地700亩,总投资150亿元,拟分3期进行建设。整个产业园以总部大楼、特色IC设计孵化器、专用装备基地、高端材料区、特色工艺区进行布局,计划5年后形成国内领先的半导体装备与核心零部件材料产业集群,最终形成具有产业特色的集成电路特色装备与材料的产业生态,填补无锡地区的产业链空白。

吴越半导体氮化镓衬底及芯片制造项目为首个落户无锡先导集成电路装备与材料产业园的项目,主要进行2-6英寸氮化镓自支撑单晶衬底及GaN-On-GaN功率芯片、射频芯片的研发和生产。项目总投资约37亿元,计划用地50亩,全部建成投产后,不仅能够打通从材料到芯片到器件的整个产业链,创造年30亿元的销售额,还能够填补无锡市在化合物半导体原材料领域的空白,提升我国半导体事业的发展水准。


(中国粉体网编辑整理/平安)

注:图片非商业用途,存在侵权告知删除!

推荐5
相关新闻:
网友评论:
0条评论/0人参与 网友评论

版权与免责声明:

① 凡本网注明"来源:中国粉体网"的所有作品,版权均属于中国粉体网,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。已获本网授权的作品,应在授权范围内使用,并注明"来源:中国粉体网"。违者本网将追究相关法律责任。

② 本网凡注明"来源:xxx(非本网)"的作品,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责,且不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如其他媒体、网站或个人从本网下载使用,必须保留本网注明的"稿件来源",并自负版权等法律责任。

③ 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起两周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

粉体大数据研究
  • 即时排行
  • 周排行
  • 月度排行
图片新闻