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投资50亿元,中国最大碳化硅材料供应基地即将投产


来源:人民网

[导读]  投资50亿元,建设用地约1000亩的中国电科(山西)电子信息科技创新产业园即将在山西转型综改示范区投产。

中国粉体网讯  投资50亿元,建设用地约1000亩的中国电科(山西)电子信息科技创新产业园即将在山西转型综改示范区投产。据报道,该项目计划用5年时间,建成“一中心三基地”,即:中国电科(山西)碳化硅材料产业基地、中国电科(山西)电子装备智能制造产业基地、中国电科(山西)三代半导体技术创新中心、中国电科(山西)光伏新能源产业基地。项目达产后,预计形成产值100亿元。


通过吸引上游企业,形成产业聚集效应,打造电子装备制造、三代半导体产业生态链,建成国内最大的碳化硅材料供应基地,积极推动山西经济的转型升级。


大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率,是第三代半导体碳化硅单晶材料最响亮的“名片”,不过,碳化硅单晶的制备一直是全球性难题,而高稳定性的长晶工艺技术是其核心。而在中国,碳化硅单晶衬底材料长期依赖进口,其高昂的售价和不稳定的供货情况大大限制了国内相关行业的发展。


据了解,自2007年,中国电科2所开始着手布局碳化硅单晶衬底材料的研制规划,依靠自身在电子专用设备研发领域的技术优势,潜心钻研着碳化硅单晶生长炉的研制。经过多年的不懈努力,全面掌握了高纯碳化硅粉料制备工艺、4英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺,形成了从碳化硅粉料制备、晶体生长、晶片加工、外延验证等整套碳化硅材料研制线,在国内最早实现了高纯碳化硅材料、高纯半绝缘晶片量产。


(中国粉体网编辑整理/三昧)

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