三星宣布完成5纳米EUV开发 意图与台积电争世界霸主


来源:朝鲜日报

标签三星EUV
[导读]  韩国《朝鲜日报》4月17日报道,三星通过官网新闻中心宣布实现基于EUV光刻的5纳米FinFET工艺,并已准备好投入生产。据悉,三星电子还计划于本月推出7纳米产品,并在今年批量生产6纳米产品。

中国粉体网讯  韩国《朝鲜日报》4月17日报道,三星通过官网新闻中心宣布实现基于EUV光刻的5纳米FinFET工艺,并已准备好投入生产。据悉,三星电子还计划于本月推出7纳米产品,并在今年批量生产6纳米产品。


与7纳米相比,三星的5纳米FinFET工艺使特定面积的晶体管数量增加了25%,性能提升10%,功耗降低20%。此外,它是三星重复利用7纳米相关知识产权的成果,因此大幅减少了时间成本和落地成本。


据悉,该公司早在2017年就推出了EUV 7纳米工艺,并与竞争对手台积电展开激烈竞争以锁定客户。日前,三星已将更多资源投入其逻辑芯片和合约芯片制造业务,这些业务一直都落后于其内存半导体业务。本月早些时候,三星开始大规模生产5G网络芯片,以便在下一代无线市场上占据一席之地。三星电子副会长李在镕此前表示,“到2030年,我们将成为非存储半导体的佼佼者。(中国粉体网编辑整理/胡一)


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