中国粉体网6月17日讯 ZnO 是一种性能优异的半导体材料，室温下禁带宽度为3. 37 eV，激子束缚能为60 meV，具有很好的光学、电学、催化特性。ZnO 具有压电性，可以应用于光电器件、传感器、催化剂和复合材料等方面。ZnO 不仅能制成良好的半导体和压电薄膜，亦能通过掺杂制成良好的透明导电薄膜，且原料易得、价廉、毒性小、制备方法多种多样，可以适应不同需求，已成为一种用途广泛、具有开发潜力的薄膜材料之一。
随着第三代半导体的产生并进一步发展，并且随着新能源开始进入人们的日常话题之中，人们对氧化锌的研究越来越广泛，对ZnO 光学的性质进行了广泛的研究。
许多科学家对掺杂的氧化锌进行光学性质方面的研究。研究人员利用湿法氧化掺杂工艺制备了Ag 掺杂的ZnO 纳米结构，并对其微观结构和光学性质进行了研究。高倍电子透射电子显微镜直接可以看出Ag 已经存在于氧化锌纳米线中，XPS 显示了Ag 是以氧化物化学状态存在于氧化锌中。PL 光谱显示，Ag 掺杂的氧化锌的紫外激发是纯氧化锌紫外激发的三倍以上，这是由于Ag 光载流子比Zn 离子的更容易逃逸。如果这样的材料做成发光器件会使这样的器件的发光效率大大提高。
国内外科学家也尝试着进行双掺杂氧化锌，进一步改变材料的光学性质。研究人员通过退火研究了Al—Ga共掺氧化锌薄膜的光电性质。经过450℃退火温度的样品电阻率减小，载流子浓度的增加。Al—Ga 共掺使得氧化锌的光学帯隙增加，而且氧化锌费米能级发生了移位。另有研究人员研究了Pd 掺杂氧化锌的光催化性能的改变，结果表明所有的Pd 掺杂的ZnO 比纯的ZnO 表现出更好的光催化性能。还发现Pd 掺杂的ZnO 增强了在可见光区域吸收，并且提高了光生电荷的分离率。这种光催化的改进有助于吸光能力的提高和光生载流子的分离率。
随着第三代半导体的产生并进一步发展，并且随着新能源开始进入人们的日常话题之中，人们对氧化锌的研究越来越广泛，对ZnO 光学的性质进行了广泛的研究。
许多科学家对掺杂的氧化锌进行光学性质方面的研究。研究人员利用湿法氧化掺杂工艺制备了Ag 掺杂的ZnO 纳米结构，并对其微观结构和光学性质进行了研究。高倍电子透射电子显微镜直接可以看出Ag 已经存在于氧化锌纳米线中，XPS 显示了Ag 是以氧化物化学状态存在于氧化锌中。PL 光谱显示，Ag 掺杂的氧化锌的紫外激发是纯氧化锌紫外激发的三倍以上，这是由于Ag 光载流子比Zn 离子的更容易逃逸。如果这样的材料做成发光器件会使这样的器件的发光效率大大提高。
国内外科学家也尝试着进行双掺杂氧化锌，进一步改变材料的光学性质。研究人员通过退火研究了Al—Ga共掺氧化锌薄膜的光电性质。经过450℃退火温度的样品电阻率减小，载流子浓度的增加。Al—Ga 共掺使得氧化锌的光学帯隙增加，而且氧化锌费米能级发生了移位。另有研究人员研究了Pd 掺杂氧化锌的光催化性能的改变，结果表明所有的Pd 掺杂的ZnO 比纯的ZnO 表现出更好的光催化性能。还发现Pd 掺杂的ZnO 增强了在可见光区域吸收，并且提高了光生电荷的分离率。这种光催化的改进有助于吸光能力的提高和光生载流子的分离率。
