中国粉体网讯 随着新能源汽车、射频通信、高性能算力产业快速扩张，以 GaN、β-Ga2O3为代表的宽禁带、超宽禁带功率器件持续向高频化、小型化、高功率密度迭代。器件单位面积热流密度不断攀升，局部热点热通量突破千瓦每平方厘米级别，传统散热方案逐渐触及性能上限。过热引发的器件性能衰减、可靠性下降、寿命缩短，已经成为制约第三代、第四代功率半导体大规模商业化落地的核心瓶颈。
金刚石是自然界导热系数最高的块体材料（~2000 W/m·K），将其引入功率器件热管理系统，几乎是业界共识的最优路径。
例如将金刚石加工成微通道冷板，利用液冷直接带走热量，理论上散热通量可达千瓦级。但是面向超高热通量工况，金刚石微通道冷却构型设计、精密制造、结构优化缺少系统性方案，同时需要平衡散热能力、加工难度与材料成本。
此外，金刚石与GaN、SiC等材料的热膨胀系数差异巨大，传统焊接或粘接工艺在界面处引入的高热阻层，往往让金刚石的极致导热能力"有劲使不出"。如何在晶圆级尺度实现低空洞率、高热稳定性的异质键合，是产业界长期未能突破的难题。
9月3日，中粉会展将在河南·郑州举办“2026第三届半导体行业用金刚石材料技术大会暨功率半导体技术应用与装备研讨会”。我们荣幸地邀请到了西安交通大学胡文波教授，他将带来题为《功率器件热管理的晶圆键合与金刚石微通道优化》的特邀报告。
报告将围绕室温晶圆键合、金刚石微通道优化两大主线展开，系统介绍团队研究进展：依托原子扩散键合、表面活化键合实现多种宽禁带半导体与金刚石异质集成；开发了多种超高深宽比金刚石微通道构型，结合机器学习多目标优化，最高散热通量可达 3500W/cm2，为高功率器件热管理提供完整晶圆集成与微通道设计方案。
（中国粉体网/山川）
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