中国粉体网讯 “工业维生素”钼，一路走高，价格创近三年新高。
其原因：上游供给偏紧，且下游需求稳定增长。新型显示、钙钛矿光伏、半导体等新兴赛道的技术迭代，为钼产业打开了全新的增量空间。
钼在半导体工业的应用
金属钼单质具有熔点高、热膨胀系数低、体电阻率低、平均自由程短、易于应力控制、结合能高，以及与低κ值的电介质粘附力强等等诸多优点，在半导体工业—集成电路(包括3D NAND、DRAM及先进逻辑)的芯片制程中发挥着越来越重要的作用。
热点应用：3D NAND字线栅极
据悉，随着3D NAND堆叠层数越来越多，传统钨材质的短板愈发凸显：线路细化后钨的电阻会显著上升，拖慢信号传输速率。同时钨在制程中还需要额外铺设阻挡辅助层，逐层叠加后会挤占空间，影响芯片集成密度。而在同等微缩尺寸下，钼的电阻更低，能够有效加快数据读写速度，且钼无须额外增设阻挡层，可直接完成填充，进一步提升芯片存储密度。
“以钼代钨”，成为全球存储巨头的选择。早在2024年4月，三星就在其第九代V-NAND（286层）中率先引入钼工艺，第十代400层以上产品定于2026年下半年推向市场，钼应用范围进一步扩大；SK海力士375层第10代3DNAND闪存已完成全流程生产验证，核心突破在于首次在字线金属栅极中引入钼材料、全面取代传统钨，计划2026年底正式量产，并锁定480层、604层后续路线全部沿用钼方案；美光同步推进NAND与DRAM领域钼材料应用，探索复合金属技术路线；泛林半导体作为全球刻蚀沉积设备龙头，明确表态"钨向钼的技术切换，是300层以上3D NAND演进的唯一可行路径"。
此外，先进逻辑芯片与封装方面，高纯钼靶材、钼薄膜用于先进逻辑芯片的互连结构及高端封装基板金属化，提升信号传输效率与热管理性能；散热与热管理材料方面，钼铜复合材料因热膨胀系数与芯片、陶瓷基板高度匹配，广泛用于AI服务器、高功率模块的热沉，解决高功耗芯片散热难题。
半导体用钼粉需达到超高纯标准
国内一钼产业上市公司人士坦言，半导体用钼粉需达到超高纯标准。“钼代钨”技术路线处于初步阶段，国内高纯钼配套材料也尚处产业化初期。
高纯钼粉是以含钼化合物为原料制备的一类高附加值、高技术含量的特殊钼粉体产品，应用于耐高压大电流半导体器件的钼引线、声像设备、照相机零件、高密度集成电路中的门电极靶材及微电子等领域。
由于钼粉中杂质元素的数量与分布直接影响着钼制品的缺陷数量和状态，进而影响制品的整体质量、后续加工性能和使用效果，因此，高纯钼粉在新型高分辨率平面显示器的基础靶材、芯片、耐高压大电流半导体器件的钼引线等对杂质含量有苛刻要求的领域具有传统钼粉无法比拟的优势。
高纯钼粉分类
目前，高纯钼粉的制备方法主要包括氢气还原、碳热还原、自蔓延高温合成及氢等离子体还原等工艺，其中氢气还原法仍然是工业生产的主流技术，但形貌及粒度控制有限。低温熔盐-氢还原、喷雾热解-氢还原、自蔓延高温合成及射频氢等离子体等方法在均匀化、球形化及杂质去除方面展现优异性能，为高端应用提供新途径。
高纯钼粉制备工艺及发展趋势示意图
小结
半导体存储行业迎来材料迭代，“以钼代钨”趋势显现。虽然存储芯片赛道当前体量偏小，更多带来估值与情绪溢价，但赛道长期增长潜力突出，3—5年内将从题材概念转换为实质性需求增量。随着超高纯钼粉制备技术的提升，半导体领域，拭“钼”以待。
参考资料：
陈志炜等.钼在半导体工业的应用
邵志猛等.高纯钼粉制备中的形貌调控路径与发展趋势
行业标准《高纯钼粉》
中国经营网、证券时报等
（中国粉体网编辑整理/黑金）
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