中国粉体网讯 6月19日，电科装备山西中电科公司自主研制的卧式碳化硅化学气相沉积装备顺利发往客户现场，标志着电科装备的涂层设备“单项冠军”培育计划实现新突破，迈出了公司拓展新市场领域的重要一步。
本次发货的设备是山西中电科公司采用全新设计理念开发的第三代卧式碳化硅化学气相沉积装备，其结构设计与工艺技术均由公司自主研发。设备采用高精度温控系统，可将石墨基体温差精准调控在1℃以内，确保工艺过程稳定；利用CFD数值模拟技术对装备结构和工艺参数进行优化调整，有效提升了生产质量与效率。
经过多次工艺优化调试，设备可顺利实现涂层制品纯度≥99.9999%，碳化硅涂层制品厚度100μm±10%，主要晶型、晶向、硬度等关键技术指标达到国内领先水平。
涂层的物理和化学特性对耐高温和耐腐蚀有严格的要求，直接影响到产品的良率和寿命。SiC材料具有高强度、高硬度、低热膨胀系数以及良好的导热性能，是一种重要的高温结构材料和高温半导体材料，应用于石墨基座，其优势在于：
1)SiC耐腐蚀，能够对石墨基座进行全面包裹，并且致密性好，避免被腐蚀气体损害。
2)SiC高导热率，与石墨基座结合强度高，保证在经历多次高温低温循环后，涂层不易脱落。
3)SiC具有较好的化学稳定性，避免涂层在高温且具有腐蚀性的气氛中失效。
此外，不同材质的外延炉需要不同性能指标的石墨托盘，石墨材料的热膨胀系数匹配要求适应外延炉生长温度，例如碳化硅外延生长的温度较高，需要热膨胀系数匹配度高的托盘。SiC的热膨胀系数与石墨的热膨胀系数相差很小，适合作为石墨基座表面涂层的首选材料。
半导体设备在半导体产业中扮演着至关重要的角色，是芯片制造的“硬核工具”，而为这些硬核工具所需的关键部件涂上涂层“外衣”的设备可谓“幕后英雄”，是整个半导体产业链中不可或缺的组成部分。山西中电科公司自主研发的碳化硅化学气相沉积装备，就是执行这一涂层工艺的关键设备。
据悉，山西中电科公司将坚持技术创新，利用已有技术积淀，继续研发碳化钽化学气相沉积装备、热解石墨气相沉积装备、碳化硅块体气相沉积装备等，持续扩大产品矩阵。同时，下一步，山西中电科公司将继续落实“单项冠军”培育计划，持续深化技术创新，稳步提升产品性能和服务质量，进一步扩大电科装备的科研优势与市场竞争力。
来源：
电科装备、光明日报、粉体网
（中国粉体网编辑整理/空青）
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