中国粉体网讯 随着半导体技术的飞速发展，材料创新成为突破性能瓶颈的关键。金刚石凭借其卓越的硬度、导热性及潜在的半导体特性，在半导体产业链中的多个环节中已展现出巨大的发展潜力和应用价值。其中，金刚石微粉作为磨抛料，以其超精密加工能力，显著提升了半导体晶片的表面质量和生产效率，成为半导体制造不可或缺的一环。
从2024半导体行业用金刚石材料技术大会组委会获悉，本届会议将于2024年12月24日在郑州举办。北京中科美安科技有限公司作为参展单位邀请您共同出席。
北京中科美安科技有限公司
公司以⼤连化学物理研究所为技术依托，研发系列⾦属钯复合膜超纯氢⽓纯化器，⽤于制取超⾼纯氢⽓。
实现6N ~ 9N ~ 12N超⾼纯度，满⾜半导体、多晶硅、⼈造钻⽯加⼯、航天、军⼯、⽯油化⼯等领域对超⾼纯氢⽓的需求。
20年深度积累核⼼技术
来自中科院⼤连化物所，20年研发积累，独家超薄⾦属钯复合膜技术，⾼质量实现氢提纯能⼒。获得国家发明专利两项。全国第⼀，全球TOP3。
相⽐PSA，化学吸附技术，钯膜是实现氢⽓超⾼纯化的最佳⽅案。
⾦属钯能以溶解-扩散的⽅式选择性透过氢⽓，简单来讲，只有氢⽓能透过钯膜，其他⽓体都透不过去，因此分离氢⽓的纯度能达到8个9以上。上世纪70年代就已经被⽤于为半导体⾏业提供超纯氢。但⽬前国内市场上主要是进⼝的钯管产品，厚度⾄少在15微⽶以上，价格昂贵，⽽且其透氢量很低，装置投资和分离能耗很⾼，制氢成本和制氢规模⽆法满⾜未来规模化应⽤的需求。将⾦属钯膜负载在多孔⽀撑体的表⾯，可以制备⾦属钯复合膜，厚度可以降低到5微⽶左右，制备廉价的⾦属钯复合膜，同传统钯管相⽐，其贵⾦属⽤量降低10倍，并且可以获得更⼤的透氢量，使装置投资和纯化成本⼤幅度降低，具有明显的技术经济优势。
量产能⼒
突破超薄不锈钢钯膜制备瓶颈，达到DOE2015指标国际上率先攻克制备难题并批量⽣产，成品率>90%；
多孔不锈钢底膜制备突破国外垄断，成本下降90%；
综合成本相较国际解决⽅案降低95%。
已交付使⽤
• 北京冬奥会液态阳光加氢站（李灿院⼠项⽬）50kg/天；
• H公司产线60台应⽤，7N ~ 10N 纯度；
• 某⼈造钻⽯企业，40台应⽤，7N ~ 10N 纯度；
• 四川某多晶硅产线应⽤，7N纯度，200Nm³/h流速
产品型号列表
适配于⼩流量场景下的钯膜氢⽓纯化解决⽅案。
同时还具备超⼤流量和12N级氢纯化⽅案：
最⾼纯度可达12N；
最⾼流量可达800Nm³
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会务组
联系人：刘文宝
电 话：13693335961（同微信）
Email ：1791805714@qq.com
