中国粉体网讯 近年来，电子集成技术发展迅速，电子设备的组装密度提高较为迅速，电路的体积逐渐缩小，整个发展趋势向轻薄小方向。在频率较高的情况下，工作的热量很容易聚集，难以排出。为了保证电子元器件的良好运行，散热能力的大小是关键因素。
氮化铝(AlN)因具有较高的热导率(320W/m·K，25℃)、良好的绝缘性(＞1014Ω·cm)、较低的介电常数(8.8，1MHz)与介电损耗(tanσ＝10-4)、与硅相匹配的热膨胀系数(3.2×10-6K-1)、无毒以及优异的化学稳定性、机械性能和抗等离子性等特性而受到电子工业的广泛关注。尤其球形氮化铝粉体具有高流动性和堆积密度，作为填料使用时对体系粘度影响较小，有利于实现高填充，从而提高氮化铝基板的散热能力。
目前，常用的球形氮化铝粉体制备方法是先将氧化铝和碳源混合均匀(在混合过程中可加入烧结助剂)，然后在氮气气氛下进行高温氮化得到含碳氮化铝，再将含碳氮化铝在空气或氧气气氛下进行碳热还原得到球形氮化铝。但这种制备方法得到的是非致密的球形氮化铝颗粒，将其用于填充材料时会出现填充量低、吸油值大等问题。
近日，安徽壹石通材料科技股份有限公司申请一项名为“致密化球形氮化铝及其制备方法与应用”，公开号CN202311836763.5，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，该发明公开了一种致密化球形氮化铝及其制备方法与应用，涉及导热填料技术领域，该发明以亚微米级的氮化铝为原料，并加入少量的氧化钇和铝溶胶，通过喷雾造粒技术获得多孔球形氮化铝，然后将多孔球形氮化铝与隔离剂混合均匀后依次进行高温烧结以及除碳处理，最终得到球形度高且整体致密化的球形氮化铝，显著降低球形氮化铝的比表面积，提高球形氮化铝作为导热填料的填充量，从而有效改善复合材料的导热性能。
来源：国家知识产权局
（中国粉体网编辑整理/山川）
注：图片非商业用途，存在侵权告知删除
