中国粉体网讯 12月下旬，天合光能连续公布了多条新专利，涉及太阳能电池及光伏组件等方面的高达6条，粉体网小编整理如下。
1、太阳能电池及光伏组件
技术领域：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种太阳能电池及光伏组件。
背景技术：TOPCon（Tunnel Oxide Passivated Contact solar cell，隧穿传输层钝化接触）利用一层超薄氧化硅和一层重掺杂的多晶硅组成，用于电池背光侧的钝化，可实现优异的表面钝化和载流子的选择性收集，提高电池的转化效率。现TOPCon电池的隧穿传输层钝化技术现多用于电池的背光侧，因为多晶硅本身存在寄生光吸收损耗，如果将TOPCon的隧穿钝化结构直接应用到电池的向光侧，则会影响太阳能电池对光的吸收，太阳能电池的光寄生损耗增加，会阻碍电池转换效率的提升。因此，需研究太阳能电池向光侧的钝化技术以提高太阳能电池效率。
发明内容：针对现有技术中的问题，本发明的目的在于提供一种太阳能电池及光伏组件，通过在太阳能电池的至少一面上形成局部隧穿钝化结构，在不增加太阳能电池的光寄生损失的基础上，提高太阳能电池的局部钝化效果，从而提高太阳能电池的转化效率。
本发明提供了一种太阳能电池及光伏组件。所述太阳能电池包括基底，所述基底包括相对设置的第一面和第二面；所述基底的至少一面包括非金属化区域和金属化区域；在所述非金属化区域依次叠层设置有第一掺杂层和减反射层；在所述金属化区域依次叠层设置有所述第一掺杂层、隧穿传输层、第二掺杂层、所述减反射层和电极层，所述电极层穿过所述减反射层与所述第二掺杂层直接接触。
2、薄膜电池组件、钙钛矿电池组件及光伏系统
技术领域：本申请属于电池技术领域，尤其涉及一种薄膜电池组件、钙钛矿电池组件及光伏系统。
背景技术：薄膜电池组件的性能会受到制程中表面膜成质量的限制。组件越大，成膜面积越大，使得工艺越复杂，设备要求越高，工艺参数控制难度高，成品率较低，并且整体组件的输出效率越低。
发明内容：本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种薄膜电池组件、钙钛矿电池组件及光伏系统，电池组件的工艺限制较小，工艺难度低，降低了设备要求，成品率更高，电池组件的输出效率更高。
薄膜电池组件包括：封装框架；多个薄膜电池块，封装于封装框架内，薄膜电池块包括多个子电池、正极接触部和负极接触部，每个薄膜电池块内的各子电池分别与正极接触部和负极接触部电连接；导电连接件包括多个汇流条，各薄膜电池块的正极接触部和负极接触部通过多个汇流条导电连接。
3、太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统
技术领域：本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。
背景技术：随着光伏产业技术的快速发展，国内外市场对太阳能电池的转换效率也提出越来越高的需求，业内众多厂商均在积极进行高效电池的开发与研究。其中，表面钝化接触技术近年成为业内的研究热点，TOPCon技术是指在电池表面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层掺杂多晶硅薄层，二者共同形成钝化接触结构，能够极大地降低金属接触复合电流，提升电池的开路电压和短路电流。然而相关技术的TOPCon电池中在电池边缘面存在大量的复合，导致太阳能电池的效率较低。
发明内容：鉴于上述问题，本申请提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统，能够提高太阳能电池的效率。
太阳能电池，包括：基底，包括相对设置的第一表面、第二表面，以及邻接于第一表面和第二表面之间的多个侧面；掺杂导电层和第一钝化膜层，依次层叠设置于第一表面，且仅覆盖第一表面；减反射膜层，层叠设置于第一钝化膜层上，减反射膜层覆盖第一表面，以至少覆盖第一钝化膜层；钝化接触层，设于第二表面；以及第二钝化膜层，层叠设置于钝化接触层上，第二钝化膜层覆盖第二表面，以至少覆盖钝化接触层；其中，第二钝化膜层还覆盖各侧面的至少部分。
4、太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统
技术领域：本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。
背景技术：选择性发射极(Selective Emitter，SE)激光掺杂技术，是在基底的表面的接触区域扩散而形成重掺杂区域，在非接触区域轻掺杂的技术。选择性发射电极能够降低接触区域的接触电阻，降低太阳能电池的串阻，同时轻掺杂区域能有效减少载流子复合，提高基底表面的钝化。
在上述重掺杂的过程中，若重掺杂效果不佳，则会导致栅线与基底的接触复合变大。若采用高能激光形成重掺杂区域来改善重掺杂效果，则容易导致基底上对应于重掺杂区域的部分破坏严重，使得表面缺陷增加，同时也会导致部分脏污颗粒通过激光扩散至太阳能电池更深的位置，在制作栅线后，带来更大的漏电风险。
发明内容：基于此，有必要提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件和光伏系统，以在改善栅线的接触复合的同时改善重掺杂效果、降低太阳能电池的表面缺陷以及漏电风险，提高太阳能电池的开路电压和光电转换效率。
本申请涉及太阳能电池技术领域，通过在目标重掺杂区域上形成掺杂程度不同的目标子区域，进而在提高掺杂的有效性的同时降低重掺杂过程对于基底的损伤，改善了太阳能电池的表面缺陷。由于与目标重掺杂区域对应的第一栅线，与该目标重掺杂区域的第一目标子区域欧姆接触，能够在实现第一栅线与掺杂层欧姆接触的同时改善第一栅线对应于其他结深的目标子区域内的部分与掺杂层之间的接触复合，减少了第一栅线和掺杂层的接触面积，增加了钝化面积。
5、太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统
技术领域：本发明涉及光伏技术领域，特别是涉及--种太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。
背景技术：随着光伏技术的不断发展，人们对晶体硅太阳能电池光电转换效率的要求也越来越高，但目前产业化太阳能电池效率的提高仍面临着很多挑战。相关技术的太阳能电池中，为了降低复合速率、延长少子寿命提高太阳能电池的光电转换效率，一般会对硅基底进行钝化处理，在硅基底表面形成钝化接触结构以降低表面载流子的复合，从而减小因硅基底内部缺陷所带来的影响。其中，常见的钝化接触结构将隧穿氧化层与重掺杂的多晶硅层相结合，通过隧穿氧化层的化学钝化作用降低硅基底与多晶硅之间的界面复合。同时隧穿氧化层也可以起到较好的隧穿作用，使得多数载流子通过隧穿原理实现运输，而少数载流子则因为较高的势垒难以隧穿通过隧穿氧化层进入多晶硅层中被复合。然而，相关技术太阳.能电池中，常常存在钝化接触结构的结构不连续、完整性较差的问题，导致钝化接触结构的表面钝化效果不佳，影响了太阳能电池的转换效率。
发明内容：基于此，有必要提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统，能够改善钝化接触结构的表面钝化效果，降低表面复合，提升太阳能电池的转换效率。
本发明涉及一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。太阳能电池包括基底和钝化接触结构；钝化接触结构包括依次设置于基底的一个表面的第一隧穿氧化层、多晶硅掺杂导电层以及第二隧穿氧化层；其中，多晶硅掺杂导电层和第一隧穿氧化层的至少部分区域形成有多个间隔布置的孔洞，各孔洞贯穿多晶硅掺杂导电层，并延伸至第一隧穿氧化层中；第二隧穿氧化层至少填充各孔洞的位于第一隧穿氧化层中的部分。本发明能够改善钝化接触结构的表面钝化效果，降低表面复合，提升太阳能电池的转换效率。
6、太阳能电池及其制备方法、光伏系统
技术领域：本申请涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏系统。
背景技术：TOPCon电池(隧穿氧化层钝化接触电池)，是一种使用超薄氧化层作为钝化层结构的太阳电池。通过超薄的隧穿氧化层和一层掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成钝化接触结构，能够有效降低表面复合和金属接触复合，为硅片的背面提供良好的表面钝化，能够有效地降低背面复合电流密度，提高电池光电转换效率。
传统TOPCon电池通过刻蚀或者激光消融使部分掺杂多晶硅层裸露，再制备电极与掺杂多晶硅层形成欧姆接触（或称电连接），然而刻蚀或者激光消融工艺对钝化层及减反射层的损伤较大，对TOPCon电池的性能提升有较大的影响。
发明内容：基于此，有必要提供一种减少对钝化层及减反射层的损伤及复合，光电转换效率较高的太阳能电池及其制备方法。
本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏系统。该太阳能电池包括：基底层，包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；隧穿氧化层、第一掺杂多晶硅层和第一钝化层，沿逐渐远离基底层的方向依次设置于基底层的第一表面；以及第一细栅层，至少一条所述第一细栅设置于第一连接孔，所述第一连接孔的孔底位于所述第一掺杂多晶硅层中，各第一细栅穿过各自对应的第一连接孔与第一掺杂多晶硅层电连接；在第一方向上，各第一连接孔的宽度均小于与第一连接孔对应的第一细栅的宽度。该太阳能电池在保证良好电连接的情况下，对太阳能电池的钝化结构的损伤及复合较小，具有较高的光电转换效率。
参考来源：国家知识产权局
（中国粉体网编辑整理/星耀）
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