中国粉体网讯 近日，山东省工信部印发《山东省重点新材料首批次应用示范指导目录（2023年版）》通知，多项先进陶瓷材料入选。
1、高导热类球形单晶氧化铝
性能要求：D50＞25μm，氧化钠＜0.05%，氧化铁＜0.02%，氧化硅＜0.02%，电导率＜60μs/cm，形貌呈类球形大单晶。
应用领域：电子电器、机械、汽车、光学仪器、轨道交通。
2、氮化硅陶瓷材料
性能要求：（1）氮化硅陶瓷基板：最高热导率＞80W/m·k，密度＞3.2g/cm3，维氏硬度＞1500，抗弯强度＞500MPa，断裂韧性＞6MPa·m1/2。（2）氮化硅微珠：粒径＜0.4mm，密度＞3.2g/cm3，维氏硬度＞1580，抗弯强度＞600MPa，断裂韧性＞7MPa·m1/2。
应用领域：电子电器、机械、汽车、光学仪器、轨道交通。
3、高纯氮化硅陶瓷粉体
性能要求：α项含量≥90%，O含量≤0.5%，Fe含量≤50ppm，Al含量≤16ppm，粒径D50≤2μm。
应用领域：电子电器、机械、汽车、光学仪器、轨道交通。
4、管式碳化硅纳米陶瓷过滤膜
性能要求：产品尺寸Φ42.5*925mm，膜层孔径0.1μm，耐酸性≥99%，耐碱性≥99%，耐压强度0-4MPa，通量500-600L/(M2·h·bar)。
应用领域：化工、食品、冶金。
5、微孔陶瓷过滤膜
性能要求：孔道直径1～100μm，显气孔率≥40%，熟坯抗折≥30MPa，通水量≥5T/Hm3，滤板耐水压0.3MPa不破裂，滤板的显气孔率≥32%，滤板的耐酸（碱）腐蚀质量损失率＜2%，滤板陶瓷膜层磨损值＜0.08 mm。
应用领域：过滤。
6、片式多层陶瓷电容器用介质材料
性能要求：1）高容 X7R和 X7T瓷粉：介电常数≥2200，介电损耗≤2％，绝缘性能RC≥1000S，介质厚度2～3μm 时产品的温度特性(-55℃～125℃)无偏压条件下满足±15%（X7R）、±33%（X7T），粒度分布 D50:0.35～0.55μm，耐电压BDV（X7R）、±33%（X7T），粒度分布 D50:0.35～0.55μm，耐电压 BDV≥50V/μm，满足 0805X7R475或0805X7T106规格产品的使用要求；
2）高容X5R和X6S瓷粉：介电常数≥3000～4500，介电损耗≤3％，绝缘性能 RC≥1000S，介质厚度2～3μm时产品的温度特性(-55℃～85℃)无偏压条件下满足±15%、产品的温度特性(-55℃～105℃)无偏压条件下满足±22%，粒度分布D50：0.35～0.55μm，耐电压BDV≥50V/μm，满足0805X6S106或 0805X5R226规格产品的使用要求；
3）高容值COG瓷粉：介电常数≥32，介电损耗≤0.1%，绝缘性能 RC≥2000S，烧结后晶粒≤2μm，温度特性(-55℃～125℃)满足±30ppm/℃，烧结温度≤1180℃，满足0805COG103规格产品的使用要求；
4）射频高QCOG瓷粉：介电常数≤30，介电损耗≤0.1%，绝缘性能 RC≥2000S，烧结后晶粒≤2μm，温度特性(-55℃～125℃)满足±30ppm/℃，烧结温度≤1050℃，产品0805COG5R0 规格，1GHz下Q值≥220，ESR≤150mΩ；
5）基础粉（钛酸钡）：粉体粒径100±10nm；比表面积 9.0～13.0m2/g；粒度分布 D10：
0.05～0.10μm，D50：0.10～0.15μm，D90：0.25～0.45μm，c/a＞1.0095，Ba/Ti：0.995～1.005。
应用领域：电子信息。
7、电子产品用氧化锆陶瓷外壳材料
性能要求：成品瓷片三点抗弯强度≥1200MPa，韧性≥8MPa·m1/2，维氏硬度≥1100，相对介电常数＜36。
应用领域：电子信息。
8、水处理用陶瓷平板膜
性能要求：膜层孔径（100～120）nm，纯水通量≥600LMH（40KPa，25℃），抗折强度≥45MPa，腐蚀后抗折强度≥30MPa。
应用领域：环保。
9、锂电池隔膜涂布超细氧化铝粉体材料
性能要求：物相 α-Al2O3，比表面积 4～7m2/g，扫描电镜观察颗粒分布均匀，无大颗粒，表面光滑无缺陷，粒度分布 D10＞0.13μm，D50 0.6～0.8μm，D100＜6μm，杂质元素含量 Fe＜100ppm，Cu＜10ppm，Cr＜10ppm。
应用领域：新能源汽车。
10、汽车尾气催化剂及相关材料
性能要求：汽油车催化剂：涂覆偏差≤±5%，性能指标达到国VI标准；
稀土储氧材料：经1050℃，10%H2O水热老化6小时后，比表面积≥30m2/g，储氧量＞300μmol O2/g。
氧化铝材料：经1200℃水热老化10小时后，比表面积≥40m2/g。
柴油车催化剂：DOC涂覆偏差≤±5%，DPF、SCR涂覆偏差≤±10%，性能指标达国VI标准；SCR催化剂：新鲜状态，200℃下 NOx 转化率＞80%，650℃/10%H2O/空气中100小时老化后，230～480℃范围内NOx平均转化率＞80%。
堇青石蜂窝载体：TWC载体壁厚2.5～4.0mil，热膨胀系数≤0.5×10-6/℃，DOC、SCR载体壁厚3.0～5.5mil，热膨胀系数≤0.5×10-6/℃，DPF、GPF壁厚7～12mil，孔隙率45～65%，热膨胀系数≤0.8×10-6/℃。
应用领域：交通装备、节能环保。
11、 六方氮化硼
性能要求：含量≥98%，粒度 50nm～300μm，总氧≤0.8%，氧化硼含量≤0.5%。
应用领域：电子通信、化工。
12、高性能碳化硼陶瓷粉及制品
性能要求：（1）高性能碳化硼陶瓷粉：碳化硼≥95.2%，三氧化二硼≤0.5%，氧化铁≤0.2%，粒度D500.5μm±0.05μm。
（2）高性能碳化硼防弹陶瓷：密度≥2.46g/cm3，维氏硬度≥2800，弯曲强度≥400MPa，
断裂韧性＞3.0MPa·m1/2，弹性模量≥380GPa。
应用领域：航空、安全防护。
13、氮化硼承烧板
性能要求：氮化硼含量＞99.5%，氧含量＜0.15%，密度1.5-1.6g/cm3
应用领域：氮化物陶瓷烧结。
14、高性能低噪音碳陶摩擦材料
性能要求：碳陶材料占比30-40%，摩擦系数0.45-0.55，600℃衰退率<20%，寿命8万公里，3000HZ噪音次数<3%。
应用领域：汽车。
15、纳米级勃姆石
性能要求：粒度≤0.2μm，纯度 99.99～99.999%，比表面3～15m2/g，D50 0.2～0.6μm、D100<0.6μm，晶型呈四棱柱，表面规整，杂质含量Fe<100ppm、Cu<10ppm、Cr<10ppm，扫描电镜观察颗粒分布均匀，表面光滑无缺陷。
应用领域：新能源汽车、电子信息。
16、高端芯片制造用碳化硅陶瓷结构件
性能要求：密度≥3.03g/cm3，弯曲强度≥260MPa(常温)，高温弯曲强度≥290MPa(1200℃)，导热系数≥30W／m.k（1200℃）。
应用领域：半导体。
17、5G射频器件专用高阻碳化硅衬底材料
性能要求：晶型 4H，直径 100mm±0.5mm，主参考边取向<11-20>±5°，无划痕，微管密度＜0.5/cm2，最低电阻率＞1E10Ω·cm，厚度500μm±10μm，TTV(厚度变化量)＜10μm，Warp(翘曲度)＜40μm。
应用领域：照明、电力电子、航天、核能。
18、碳化硅陶瓷结构件
性能要求：长度3500mm～5000mm，直径≥50mm，壁厚5-12mm，碳化硅含量≥87%，游离硅含量≤8%，抗弯强度（20℃）≥290MPa，1200℃≥350MPa。
应用领域：工业装备。
19、纳米氧化锡导电陶瓷
性能要求：气孔率≤8%，体积密度≥6.4g/cm3，耐压强度≥230MPa，抗折强度≥35MPa，常温电阻率＜1Ω·cm(26℃)。
应用领域：新型显示。
20、高性能氮化铝粉体
性能要求：氧含量＜0.8%，金属杂质含量＜500ppm，比表面2.0～3.5m2/g，粒度D50 1.0～2.5μm，原晶粒度 200-2500nm，制品热导率≥220W/(m•K)。
应用领域：电子信息。
21、高纯氧化铝
性能要求：产品纯度≥99.999%，主要杂质含量 Fe≤2ppm、Na≤2ppm、Ga≤2ppm、Si≤2ppm、Ca≤1ppm，产品D50在 0.1-0.8μm范围可控，正态分布。
性能要求：电子通信。
22、高温陶瓷色釉料用高纯氧化镨
性能要求：纯度＞99.99%，Fe2O3＜0.0005%、SiO2＜0.005%、CaO＜0.005%、Al2O3＜0.010%；Cl-＜0.005%，经1100℃灼烧后无损耗，颜色为黑色。
应用领域：冶金工业。
23、高性能碳纤维增强陶瓷基摩擦材料
性能要求：密度≤2.4g/cm3，使用温度-50℃～1650℃，抗压强度≥160MPa，抗弯强度≥120MPa，摩擦系数0.2～0.45，摩擦系数热衰退率≤15%。
应用领域：轨道交通、汽车、工程机械。
24、超高温碳/陶复合材料及制品
性能要求：密度≥1.85g/cm3，拉伸模量≥80GPa，断裂韧性≥15MPa·m1/2，1300℃拉伸强度200MPa，1300℃抗弯强度≥300MPa，1300℃面内剪切强度≥100MPa，导热系数≥15W/m·K，热膨胀系数(25℃～1300℃)1.0×10-6~4.5×10-6/℃。
应用领域：航空航天。
25、高性能氧化铝纤维
性能要求：（1）氧化铝短纤维：Al2O3含量≥72%，烧失量≤0.1%，平均直径 6-7μm；
（2）氧化铝连续纤维：Al2O3含量≥72%，纤维强度≥1.8GPa，平均直径≤12μm。
应用领域：国防军工、隔热防护。
来源：山东省工信厅
（中国粉体网编辑整理/空青）
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