中国粉体网讯 梁骏吾，半导体材料专家。湖北省武汉市人。1955年毕业于武汉大学，1960年获原苏联科学院冶金研究所副博士学位。中国科学院半导体研究所研究员。主持“七五”、“八五”重点硅外延攻关，完成了微机控制、光加热、低压硅外延材料生长和设备的研究。获国家科委科技成果二等奖一次、中国科学院科技进步奖一等奖1次、中国科学院重大成果一等奖两次，以及其它国家部级奖励多次。 1997年当选为中国工程院院士。
60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年制备出室温激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题。90年代初研究MOCVD生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面，将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平。
陌生的概念——半导体
现今，讲起半导体及行业，大家纷纷耳熟能详，但这对于当时刚大学毕业时的梁骏吾来说，却是一个相当陌生的概念。
1955年，中苏双方科学院联合选拔青年人才前往苏联留学深造，梁骏吾凭借优异的成绩加之“社会关系简单，历史清白”得以入选。令他没想到的是，组织上将他去苏联学习的专业改成了半导体。“那时，世界上的半导体研究也只是刚刚开始，我对此一无所知，非常紧张。”梁骏吾回忆道。被国家派往苏联深造，梁骏吾觉得自己身上的责任重了，要努力学习，才能够报效祖国。此后，他几乎每天都是搭最后一班市内公交从学校回到住所，“开夜车”学习更是家常便饭。功夫不负有心人，1960年，梁骏吾在莫斯科冶金研究所的研究生毕业考试中，所有课程均考取满分，并通过出众的论文答辩获得副博士（相当于现在的博士）学位。
回国后，他进入刚刚成立的中科院半导体所工作，并被任命为课题组长，从事开拓性的区熔硅单晶研制工作。回国后的环境非常艰难，工艺技术及设备的缺乏，寒冷的环境都是一项项需要克服的问题。经历数百个奋力拼搏的日日夜夜，信念与热情相互辉映，梁骏吾成功解决了高频感应加热主回路的设计与制作，为我国硅材料工艺和硅材料加工设备的发展作出突破性贡献。1963年5月，电阻率高达10000欧姆厘米的高纯区熔硅单晶，在我国首次研制成功，由此填补了国内空白。
现今，每年召开的“中国电子材料行业半导体材料分会年会”上，梁骏吾是不可或缺的重量级嘉宾，他的学术报告往往成为行业技术发展的重要参考和指南。
作为从事硅材料研究的元老级专家，梁骏吾被认为是中国半导体材料领域内一位“真正的大侠”，其威望自然举足轻重。
身边的得力助手——妻子闻瑞梅
梁骏吾和妻子闻瑞梅同为武汉人，大学时期相识相恋，上学时两家仅一条马路之隔，一起上学，一起回家。此后，两人又成为中科院半导体所的同事，共同在科学事业中辛勤耕耘，合作发表过不少学术论文。
“身体不比年轻的时候了，你看我现在还穿这么多。”梁骏吾话语轻柔。年龄不饶人，最近几年他的听力大不如前，好在身边一直有个非常得力的助手，不知从何时起，妻子闻瑞梅几乎成了他的专职秘书，外面大大小小的事情都由她帮忙打理。
参考文献：
百度百科
中国科学报.硅材料专家梁骏吾：做真正的有用之“材”
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