氧化铟和氧化锡均具有优良的物理化学性能, 将它们按不同比例混合可以制得电学性能优异的n 型半导体材料。90%的氧化铟和10%的氧化锡复合即形成了铟锡复合氧化物ITO 粉体, 反之在氧化锡粉体中适量复合氧化铟又可以得到气敏性能优良的制备电子敏感元件的材料。通讯技术和显示技术的飞速发展, 用于制备透明膜电极的铟锡氧化物ITO 粉体的需求量急剧增加。目前, 日本、美国、英国、法国等发达国家金属铟的产量的一半用于制备铟锡氧化物ITO 粉体。
本项目以高纯金属铟和高纯金属锡或高纯铟和锡的无机盐为原料, 利用水溶性高分子在溶液中形成复杂的高分子螯合网络体系, 经沉淀剂沉淀结合超临界流体抽提制备高比表面积高活性的纳米铟锡氧化物复合粉体。
技术指标
颗粒粒度: 10-60nm; 比表面积: > 20m2/g; 纯度:> 99. 99%
应用范围
用于制备ITO 靶材，然后经直流磁控溅射将靶材制成ITO透明薄膜。这种薄膜具有可见光透明、强烈反射红外光、膜电阻低的优点，因而在液晶显示、隔热玻璃、太阳能电池和收集器、车辆窗口去雾防霜等方面具有日
益广泛的应用。
改变铟氧化锡粉体的配比可用作制备气敏性能优良的敏感电子元件。
效益分析
随着平板液晶显示、隔热玻璃、太阳能电池、车辆窗口去雾除霜、气敏等技术的发展，用于制备透明ITO 薄膜电极的锡铟氧化物( ITO) 需要量急剧增加，具有广阔的市场需求。
以高纯金属铟和高纯金属锡或高纯铟和锡的无机盐为原料，主要设备是反应釜等。若生产规模为100t/年，主要设备投资约200万元, 厂房面积需1000m2。具有一定的经济效益。
单位：北京化工大学科技园科技发展中心
地址：北京化工大厦511 室
邮编：100029
电话：(010) 64435482 64435054
本项目以高纯金属铟和高纯金属锡或高纯铟和锡的无机盐为原料, 利用水溶性高分子在溶液中形成复杂的高分子螯合网络体系, 经沉淀剂沉淀结合超临界流体抽提制备高比表面积高活性的纳米铟锡氧化物复合粉体。
技术指标
颗粒粒度: 10-60nm; 比表面积: > 20m2/g; 纯度:> 99. 99%
应用范围
用于制备ITO 靶材，然后经直流磁控溅射将靶材制成ITO透明薄膜。这种薄膜具有可见光透明、强烈反射红外光、膜电阻低的优点，因而在液晶显示、隔热玻璃、太阳能电池和收集器、车辆窗口去雾防霜等方面具有日
益广泛的应用。
改变铟氧化锡粉体的配比可用作制备气敏性能优良的敏感电子元件。
效益分析
随着平板液晶显示、隔热玻璃、太阳能电池、车辆窗口去雾除霜、气敏等技术的发展，用于制备透明ITO 薄膜电极的锡铟氧化物( ITO) 需要量急剧增加，具有广阔的市场需求。
以高纯金属铟和高纯金属锡或高纯铟和锡的无机盐为原料，主要设备是反应釜等。若生产规模为100t/年，主要设备投资约200万元, 厂房面积需1000m2。具有一定的经济效益。
单位：北京化工大学科技园科技发展中心
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