中国粉体网讯 近日，山西省科学技术厅发布重要通知，经2025年5月19日省科技厅第13次党组（扩大）会议审议通过，同意7项省科技重大专项计划“揭榜挂帅”（半导体与新材料领域）项目延期至2025年12月。这一举措旨在给予科研团队更充足的时间，全力攻克关键核心技术，推动山西在半导体与新材料领域实现技术飞跃，助力产业升级。
此次延期的7个项目主要是半导体与新材料领域，其中包含三项碳化硅单晶材料及设备项目。
大尺寸4H-SiC单晶衬底材料制备产业化技术研发项目
该项目由山西烁科晶体有限公司发起需求，河北普兴电子科技股份有限公司揭榜。项目自2022年1月启动，原计划2024年12月完成，此次延期至2025年12月。
SiC单晶衬底作为制造高性能半导体器件的关键材料，在新能源汽车、5G通信等领域有着广泛应用。4H-SiC由于其优异的物理性能而被认为是最适合用于高功率和高频器件的半导体材料之一，目前，用于功率器件制造的6英寸4H-SiC衬底正在大规模生产中，而大尺寸的4H-SiC单晶衬底制备技术难度极大，此前，国内相关技术受国外限制，严重制约产业发展。
河北普兴电子科技股份有限公司隶属中国电子科技集团，前身是中电科集团第十三研究所半导体材料专业部硅外延课题组，是国家认定的高新技术和集成电路生产企业，致力于高性能半导体外延材料的研发和生产。
8英寸SiC单晶生长设备研发项目
该项目山西烁科晶体有限公司联合中国电子科技集团公司第二研究所，致力于研发8英寸SiC单晶生长设备。该项目延期至2025年12月。
碳化硅制造装备是碳化硅技术和产业发展的基础，碳化硅单晶生长炉的技术水平、工艺能力及自主保障是碳化硅材料向大尺寸、高良率方向发展的关键，也是牵引第三代半导体产业向低成本、规模化发展的主要因素。目前，国际上先进的SiC单晶生长设备被少数企业垄断，该项目的成功研发，将填补国内在这一领域的技术空白，提升我国SiC晶体生产的自主化水平，推动山西在半导体高端装备制造领域崭露头角。
中国电子科技集团公司第二研究所成立于1962年，是我国以智能制造、微电子装备及应用、碳化硅装备及应用、新能源装备及应用等产品研发生产的骨干单位。多年来，二所立足自主装备，与产业融合，形成了独具特色的高端智能制造和工艺技术系统集成的能力。
SiC晶体激光诱导剥离工艺与装备研发
该项目由中国电子科技集团公司第二研究所发起需求，河北同光半导体股份有限公司揭榜。
激光剥离技术可将晶锭加工成晶片，是多线切割的替代技术。相比之下，激光剥离技术更适合材料成本高、晶锭长度短的硬脆晶体加工领域，实现晶体加工成本的大幅下降，并提高加工效率与加工质量。同时随着衬底尺寸扩径、厂商扩产，激光切割设备经济型增强，将有助于碳化硅衬底产量进一步提升，降低衬底成本并加速碳化硅器件的渗透。
2022年，中电科二所在SiC激光剥离设备研制上取得突破性进展，先后完成单机设备调试、碳化硅SBD整线工艺调试。
根据《山西省人民政府办公厅关于印发山西省科技计划项目管理办法的通知》等相关规定，此次项目延期是综合考虑科研实际进展与项目难度后做出的审慎决策。
来源：
山西省科学技术厅、企业官网、山西科技报新媒体
（中国粉体网编辑整理/空青）
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