中国粉体网讯 美国主要汽车行业芯片材料供应商Coherent（原名II-VI）吸引了四家日本企业集团对其碳化硅业务的投资兴趣，据一位知情人士透露，这项业务估值高达 50 亿美元。
这项投资将减轻Coherent公司的财务负担，该公司表示将在未来 10 年内投资 10 亿美元扩大碳化硅晶圆的生产，与传统硅制造的芯片相比，这有助于提高电动汽车的续航里程。
消息人士称，电装公司、日立公司、三菱电机公司和住友电气工业公司已就收购Coherent公司碳化硅业务的少数股权进行了讨论说。
消息人士补充道，Coherent公司可能会接受其中多家公司作为碳化硅部门的投资者，估值在 40 亿至 50 亿美元之间。由于此事属于机密，该消息人士要求匿名。消息人士警告说，没有任何协议是确定的。
Coherent公司五月份表示将探索其碳化硅业务的选择，但拒绝发表评论。日本公司的代表没有立即回应置评请求。
由碳化硅制成的芯片用于需要大量功率转换的应用，例如电动汽车中的逆变器和传动系统。
三菱将在其价值 10 亿美元的 200 毫米晶圆厂中使用Coherent 的SiC
三菱公司早前表示，将斥资 10 亿美元（1000 亿日元）在日本建设 SiC 工厂，以提高电动汽车和工业电力的产量，并与Coherent公司签署了谅解备忘录 (MOU)，以合作大规模制造 SiC 电力电子产品。
新工厂是到 2026 年之前 26 亿美元（2600 亿日元）投资的一部分，Coherent公司将为三菱电机未来在该工厂生产的 SiC 功率器件开发供应 200 毫米 n 型 4H SiC 基板。
Coherent公司于 2015 年展示了世界上第一款 200 毫米导电基板，并获得了 GE II-VI 的 SiC 技术许可。2019 年，Coherent公司开始根据 REACTION（欧盟委员会资助的 Horizon 2020 四年期计划）供应 200 mm SiC 衬底。
“多年来，Coherent公司一直是三菱电机高质量 150 mm SiC 晶圆基板的可靠供应商，”三菱电机半导体与器件部执行官兼集团总裁 Masayoshi Takemi 说道。“我们很高兴与Coherent公司建立密切的合作伙伴关系，将我们各自的 SiC 制造平台扩展到 200 毫米。”
三菱电机在高速列车、高压工业应用和家电领域的SiC功率模块市场处于领先地位，于2010年推出了全球首款空调用SiC功率模块，并成为首家全SiC功率模块供应商2015年新干线高速列车。
“我们很高兴与三菱电机建立合作关系，三菱电机是 SiC 功率器件领域的先驱，也是高速列车（包括日本著名的新干线）SiC 功率模块的全球市场领导者，”Coherent公司的新企业和宽带隙电子技术的执行副总裁 Sohail Khan 说道。“我们在向三菱电机供应 SiC 衬底方面拥有悠久的历史，并期待扩大与他们的关系，以扩展其新的 200 mm SiC 平台。”
II-VI 公司加速对碳化硅衬底和外延片制造的投资
去年三月，Coherent公司宣布，公司正在加快对 150 毫米和 200 毫米碳化硅 (SiC) 衬底和外延片制造的投资，并在伊斯顿进行大规模工厂扩建、宾夕法尼亚州和瑞典希斯塔。这是该公司此前宣布的未来 10 年内对 SiC 投资 10 亿美元的一部分。
全球能源消耗脱碳的紧迫性正在加速“万物电气化”，并通过采用碳化硅（SiC）推动电力电子技术发生翻天覆地的变化。碳化硅是一种宽带隙材料，可实现比硅基电力电子子系统更高效、更紧凑的电力电子子系统。为了满足全球对 SiC 电力电子不断增长的需求，II-VI 将在伊斯顿大力建设近 300,000 平方英尺的工厂，以扩大其最先进的 150 毫米和 200 毫米 SiC 衬底和外延的生产规模晶圆。Easton的150毫米和200毫米碳化硅衬底产量预计到2027年将达到相当于每年100万片150毫米衬底，200毫米衬底的比例随着时间的推移而不断增长。希斯塔扩大外延片产能旨在服务欧洲市场。
Sohail Khan 表示：“我们的客户正在加速实施他们的计划，以应对电动汽车中碳化硅电力电子器件的预期需求浪潮，我们预计电动汽车将紧随当前工业、可再生能源、数据中心等领域的采用周期。”新创企业和宽带隙电子技术执行副总裁。“伊斯顿工厂将在未来五年内将 II-VI 的 SiC 衬底产量提高至少六倍，同时也将成为 II-VI 200 毫米 SiC 外延片的旗舰制造中心，是全球最大的 200 毫米 SiC 外延片制造中心之一。”
II-VI 将利用其在 Kista 开发的业界领先的外延晶圆技术。该技术的独特之处在于能够在单个或多个再生长步骤中实现厚层结构，非常适合 1 kV 以上应用中的功率器件。
伊斯顿工厂将由基于燃料电池技术的不间断且可扩展的微电网供电，以提供高度的供应保证。
（中国粉体网编辑整理/空青）
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