中国粉体网讯 近日，天岳先进发布公告，公司与客户F签订了一份框架采购协议，约定2024年至2026年公司向合同对方销售碳化硅产品，按照合同《产品供货清单》，预计含税销售三年合计金额为人民币80,480.00 万元（最终以实际数量结算金额为准）。
据悉，该协议期限为合同生效日至 2026 年 12 月 31 日，且协议生效后次月底前，客户 F 向供应商支付人民币 1 亿元作为本协议的保证金。
订单方面，去年7月，天岳先进表示与某客户签订了一份长期协议，约定2023年至2025年公司及上海天岳向合同对方销售价值13.93亿元的6英寸导电型碳化硅衬底产品；今年4月，天岳先进又在财报中披露，已经与博世集团签署长期协议。
今年5月，天岳先进与英飞凌签订全新衬底和晶棒供应协议。根据该协议，天岳先进将为英飞凌供应用于制造碳化硅半导体的高质量并且有竞争力的150毫米碳化硅衬底和晶棒，第一阶段将侧重于150毫米碳化硅材料，但天岳先进也将助力英飞凌向200毫米直径碳化硅晶圆过渡。
英飞凌表示，该协议的供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额，这不仅有助于保证英飞凌供应链的稳定，让其碳化硅材料供应商体系多元化，还能够确保英飞凌获得更多具有竞争力的碳化硅材料供应。
产品方面，目前天岳先进以6英寸导电型碳化硅衬底为主，满足全球客户的需求。产能上，天岳先进上海临港工厂已经进入产品交付阶段，持续发力提升6英寸衬底的产量；晶体质量和厚度持续提升，规模化生产衬底质量稳定可靠。通过自主扩径技术制备的高品质8英寸产品，目前也已经具备产业化能力。
今年5月消息，上海临港新片区管理委员会对外公示了《关于“天岳半导体碳化硅半导体材料项目（调整）”》的环评审批意见。
根据环评审批意见公示，天岳半导体将通过优化生产工艺、调整生产设备、原辅材料和公辅环保设施等方式，提高产品质量和产量。调整后，6英寸SiC衬底的生产规模将扩大至每年96万片。
据了解，上海临港项目于2021年确立，总投资25亿元。彼时，天岳先进正在推进上市进程，其计划募资20亿元投向临港项目的建设，扩充SiC半导体材料产能。该项目已于2022年3月成功封顶，并在最近开始交付。
值得注意的是，按照之前的规划，临港项目全部达产后，SiC衬底的产能约为30万片/年，而通过此次的产能调整，临港项目产能将扩大220%，达96万片/年。
此外，在技术及研发方面，天岳先进持续保持较高的技术研发投入，积极布局前瞻性技术。做为一种有潜力的碳化硅单晶制备新技术，液相法备受关注。通过液相法获得均匀且高品质的晶体需要对温场和流场进行控制，具有较高的技术难度，天岳先进在该技术上布局多年。
天岳先进采用液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体，通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题，尚属业内首创。
除了产品尺寸，在大尺寸单晶高效制备方面，采用天岳先进最新技术制备的晶体厚度已突破60mm，而这对提升产能具有重要意义，该技术也是天岳先进重点布局的技术方向之一。
（中国粉体网编辑整理/空青）
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