中国粉体网讯 4月7日，中国汽车芯片产业创新战略联盟功率半导体分会在长沙成立，将加快汽车功率芯片的国产化。在成立大会暨汽车功率芯片发展研讨会期间，第一财经记者获悉，汽车结构性缺芯给国产芯片带来机会，降本提质是国产功率芯片尤其是碳化硅功率半导体“上车”的关键；三安光电用于电动车主驱的碳化硅功率半导体有望今年四季度正式“上车”。
汽车结构性缺芯给国产芯片带来机会
有行业专家向第一财经记者表示，一辆电动车如果前驱与后驱都用功率半导体，功率半导体约占电机控制器的成本50%。奇瑞汽车研发总院芯片规划总监郭宇辉告诉第一财经记者，功率半导体，包括IGBT、碳化硅（SiC）功率半导体；业内共识是，20万元以内的电动车用IGBT，20万元以上的电动车用碳化硅功率半导体；碳化硅功率半导体损耗小、耐高压、耐高温，是功率半导体的未来发展方向之一。
郭宇辉说，目前汽车业仍结构性缺芯，比如，电源类、控制类、通信类、计算类、功率类的芯片均紧缺。像碳化硅芯片项目投资建设期需18-24个月，去年有许多碳化硅项目的投资，要2025年才会释放产能，预计2025年碳化硅功率半导体的紧缺状况才会得到缓解。
今年，奇瑞汽车在功率半导体方面，会尽力保障供应链安全，国产化是解决缺芯风险的办法之一。郭宇辉说，目前，国内的碳化硅供应商，还没有大规模供应车规产品。加工硅要1500°C，加工碳化硅要2500°C；硅基衬底制作时间是两三天，碳化硅衬底制作时间是两三周。碳化硅器件的工艺要求高，所以成本约是硅基器件的数倍。现在，碳化硅功率半导体的生产工艺还不够成熟，良率不是很高，成本较高，未来成本一定要降下来。
作为国内主要的碳化硅供应商之一，三安半导体投资160亿元的长沙碳化硅全产业链工厂，2021年6月一期工程投产，6英寸碳化硅晶圆产能爬坡至15000片/月，二期工程预计2023年完工，达产后年产能50万片6英寸碳化硅晶圆。三安半导体销售副总经理张真榕向第一财经记者表示，三安将抓住2024年、2025年汽车业结构性缺芯的机会，加快推进国产碳化硅“上车”进程，三安用于主驱的碳化硅功率半导体有望2023年四季度正式“上车”。
国内另一家碳化硅器件提供商泰科天润的相关负责人也说，“上车”是功率半导体企业想努力达成的目标。中国汽车芯片产业创新战略联盟功率半导体分会的成立，将为车用功率半导体的国产化创造更好条件，希望同行共同努力，也希望得到整车厂更多支持。
（中国粉体网编辑整理/空青）
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