中国粉体网讯 9月20日，日本德山株式会社宣布将在柳井市的先进技术商业化中心开设一项研究设施，该设施用于研究功率半导体和高输出LED绝缘散热基板用高散热氮化铝填料。
近年来，随着电子设备的小型化和高密度安装，控制设备功耗的负担越来越重，产生的热量增加会损害设备的性能。据了解，氮化铝具有高热导率、高强度、高电阻率、密度小、低介电常数、无毒、以及与Si相匹配的热膨胀系数等优异性能，是最具发展前途的一种陶瓷基板材料。且氮化铝作为填料在树脂中具有极好的流动性，因此在填充树脂时可以增加氮化铝填料的填充量，从而大大提高树脂的导热性。
氮化铝粉体的制备极其关键，目前主要工艺有直接氮化法和碳热还原法，此外还有自蔓延合成法、高能球磨法、原位自反应合成法、等离子化学合成法及化学气相沉淀法等。德山株式会社采用还原氮化法生产出杂质极少的优质产品，年生产能力达840吨，为世界第一，目前其已确立了氮化铝粉末全球领先的地位，占全球市场75%的份额。
资料来源：德山株式会社官网、粉体网整理
（中国粉体网编辑整理/山川）
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