德智新材料2.5亿元碳化硅蚀刻环项目预计明年投产


来源:中国粉体网   山川

[导读]  近日,湖南德智新材料有限公司半导体用碳化硅蚀刻环项目完成了主体工程建设,并预计在明年初投产。

中国粉体网讯  在新马工业园内,湖南德智新材料有限公司半导体用碳化硅蚀刻环项目完成了主体工程建设,并预计在明年初投产。据了解此次半导体用碳化硅蚀刻环项目,总投资约2.5亿元,主要用于半导体用碳化硅蚀刻环的研发、制造,投产后年产值超1亿元。


 

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芯片制造在电子学中概述为是一种把电路小型化的方式,其中,刻蚀的目的是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形,通常采用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料。随着半导体技术的发展,等离子体刻蚀技术逐渐成为纳米量级的半导体器件制备和微纳制造工艺中广泛应用的刻蚀技术。由于微小粒子会引起微电子元器件和电路缺陷,降低成品率,要求微小粒子尺寸必须小于最小器件特征尺寸的 1/10,所以半导体芯片必须在无尘室中制造。随着图形尺寸的减小,对微小粒子尺寸的控制要求变得更加严格,而解决半导体芯片制造污染问题的关键是找到污染源。随着半导体制造工艺技术的不断提高,如今对空气、化学品和生产人员污染的控制变得越来越先进,使得设备成为污染控制的焦点


 

离子注入过程中的颗粒污染


因此,在整个刻蚀环节,无论是对刻蚀环境还是参与刻蚀的设备零部件,必须保证其不会产生污染。


所以,SiC刻蚀环作为半导体材料在等离子刻蚀环节中的关键耗材,其纯度要求极高。一般只能采用CVD工艺进行生长SiC厚层块体,随后经精密加工而制得,主要用于半导体刻蚀工艺的制备环节。长期以来,围绕半导体及其配套材料的发展一直是我国生产制造中的薄弱环节,但因其技术壁垒高,长期被美、日、德等国所垄断,一直是被“卡脖子”的关键材料之一。


据了解湖南德智新材料有限公司是一家专业从事碳化硅纳米镜面涂层及陶瓷基复合材料研发,生产和销售的高新技术企业。2018年,德智新材落户动力谷自主创新园。随后,其自主设计的国内最大化学气相沉积设备完成调试投入使用。这个设备能在高温、高真空环境下合成镜面纳米碳化硅涂层。目前,德智新材成为国内最大单晶太阳能生产企业——隆基股份等龙头企业的供货商。


参考来源:

[1]红网时刻新闻

[2]谭毅成等.耐等离子刻蚀陶瓷的研究现状


(中国粉体网编辑整理/山川)

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作者:山川

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