西安市印发《“十四五”科技创新发展规划》,重点突破碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体用新型电子材料关键技术


来源: 中国电子材料行业协会

[导读]  西安市印发《“十四五”科技创新发展规划》,重点突破碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体用新型电子材料关键技术。

中国粉体网讯  近日,在西安市人民政府官网上,公布了《西安市“十四五”科技创新发展规划》(以下简称规划)。规划中提出要发挥西安新材料产业优势,围绕国民经济和社会发展重大需求,聚焦稀有金属材料、光电能源材料、空天复合材料、石墨烯材料、汽车轻量化材料、生物医药材料、陶瓷基复合材料、增材制造等重点领域,前瞻布局高端新材料、前沿新材料,突破材料性能及成分控制等工艺技术,形成重点领域“材料+器件+装备”一体化发展优势,全面提升全市新材料产业竞争力。


电子信息技术章节节选


《规划》在电子信息技术章节提出要加快碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等第三代半导体材料生长和表征技术、光电芯片等自主可控技术转化。大力研制基于GaN基的蓝绿光Micro-LED芯片、SiC衬底LED照明、EUV光刻胶等技术,重点开展12英寸大尺寸硅片和大尺寸微电子级硅拉单晶等技术攻关。重点发展有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)、高分子发光二极管(PLED)等新一代显示技术,在平板整机模组一体化设计、玻璃基板制造等领域实现关键技术突破。


重点发展5G基础材料、5G基带芯片、射频核心部件、光器件、5G小微型基站设备、5G核心网等5G设备、网络和服务关键技术研发。


新材料章节节选


《规划》在新材料章节提出要重点研发电子级硅材料、平板显示材料、电子浆料等专用材料技术。重点突破碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等第三代宽禁带半导体用新型电子材料关键技术,探索碳基半导体材料等光电能源材料技术,石墨烯导电复合材料等低成本批量制备及纯化技术研发。


新能源章节节选


《规划》在新能源章节提出要开展光伏双面玻璃、透明背板、EVA等高性能辅材技术研究,InGaN(铟镓氮)太阳能电池技术研发,布局“光伏+”融合技术研发,加快磷酸铁锂电池+地面光伏电站技术研发。


开展储氢合金材料、碳纤维储氢材料、车载高压储氢技术;聚焦研发加氢站关键设备及整体制造技术;研制新一代煤催化气化制氢和甲烷重整/部分氧化制氢技术。


布局前沿技术创新章节节选


《规划》在布局前沿技术创新章节提出要发挥国家增材制造创新中心等平台效应,重点研发钛、镁、铝及其合金,及高温合金粉末、光敏树脂、高分子丝材等关键核心技术,突破一批高端增材制造打印头、高复杂零部件增材制造设备核心技术。探索形状记忆聚合物材料(4D打印)等增材制造材料技术、生物(细胞)3D打印等未来前沿技术。扩大增材制造在电子信息、汽车、医疗器械等领域的应用规模。


在新一代人工智能、类脑智能、量子科技、空天科技、生物技术、下一代通信网络、网络空间与安全科技、超级计算、智能材料、下一代显示等前沿领域,支持多路径探索、交叉融合研发。支持高校院所、行业领军企业和重大创新平台牵头建设未来研究院。发挥好陕西省光子产业创新联合体优势,在先进激光与光子制造、光子材料与芯片、光子传感等重点领域形成具有全球竞争优势的重大科技成果。


(中国粉体网编辑整理/山川)

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