中国粉体网讯 苏州东微半导体股份有限公司日前发布了首次公开发行股票并在科创板上市发行结果公告，其股票简称为东微半导，股票代码为688261，这也意味着，东微半导即将在上交所科创板上市。
公开资料显示，东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，其产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级领域的高压超级结、中低压SGT功率器件、IGBT芯片领域实现了国产化替代。从公司的公开资料中可以看出东微半导更多地强调其技术的原创性，并依托对器件结构和工艺的创新凸显产品的领先性，在国内众多功率半导体厂商中独树一帜。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
除加码当前炙手可热的IGBT外，东微半导于2021年7月立项了第三代半导体SiC功率器件自主研发项目，主要针对以碳化硅的为衬底的第三代半导体材料功率器件进行研发。
功率器件行业发展到IGBT(绝缘栅双极晶体管)时期，硅基器件的性能已经接近极限，边际成本越来越高，而半导体器件产业仍对高功率、高频切换、高温操作、高功率密度等有着越来越多的需求，因此以SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)等第三代半导体材料为核心的宽禁带功率器件成为了研究热点与新发展方向，并逐步进入应用量产阶段。SiC功率半导体的发展改善了功率开关器件的硬开关特性，耐压可达数万伏，耐温可达500℃以上，其性能优势如下：
(1)宽禁带可大幅减小泄漏电流，从而减少高功率器件损耗；
(2)高击穿场强可提高功率器件耐压能力与电流密度，减小整体尺寸；
(3)高热导率可改善耐高温能力，有助于器件散热，减小散热设备体积，提高集成度，增加功率密度；
(4)强抗辐射能力，更适合在外太空等辐照条件下应用。理论上，SiC器件是实现高压、高温、高频、高功率及抗辐射相结合的理想材料，主要应用于大功率场合，可实现模块及应用系统的小型化、集成化，提高功率密度和系统效率。
随着SiC功率器件产业链中各项技术的进一步完善，未来各种SiC功率器件会在成品率、可靠性和成本方面取得很大改善，从而进入全面推广应用的阶段，将引发电力电子技术的新革命。
参考来源：集微网、中国粉体网、百度百科
（中国粉体网编辑整理/山川）
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