中国粉体网讯 1月24日，三安光电（600703.SH）控股子公司湖南三安宣布其在长沙制造的碳化硅（SiC）二极管量产出货后通过客户验证，其入选汽车芯片推荐目录的碳化硅二极管已接连获得汽车行业客户订单。
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由于硅基功率器件的性能已逼近甚至达到了其材料的本征极限，研究人员很早就把目光转向宽禁带半导体器件，如碳化硅、氮化镓等。宽禁带功率半导体器件与传统Si基功率半导体器件相比较，其材料特性主要表现在：宽禁带、高饱和速度、高导热性和高击穿电场等。SiC器件具备的卓越性能，使其成为HEV电力驱动装置中的理想器件，为电动汽车的动力驱动系统带来革命性的改变。首先，可显著减小散热器的体积和成本。其次，可以减小功率模块的体积。另外，可以提高系统效率。与传统硅IGBT相比，SiC器件的导通电阻较小导通损耗下降；特别是SiC SBDs，具有较小的反向恢复电流，开关损耗大幅降低。
在充电方面，新能源汽车有各种电能变换的需求，采用碳化硅器件能够大幅度缩小装备的体积，并显著降低损耗。因此，不管是应用在新能源汽车充电桩、电控模块还是车载充电模块上，碳化硅技术都能带来较大的优势。
随着汽车平台高压化趋势愈演愈烈，预计2025年新能源汽车市场对6英寸碳化硅晶圆需求将超过200万片，其中新能源汽车的主驱逆变器、车载充电器、电源模块将成为主要驱动力，在2025年有望占据62%的碳化硅应用市场份额。
湖南三安半导体有限责任公司是三安光电股份有限公司的全资子公司，该项目2020年7月破土动工，历时不到一年，一座从碳化硅晶体生长到功率器件封测的全产业链现代化生产基地即落成投产。投产不到半年，便量产下线碳化硅肖特基二极管全系列产品，产业进展可谓是极其惊人。
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（中国粉体网编辑整理/山川）
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