台湾开发出单层纳米碳管定位成长技术


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    台湾地区工研院宣布,继去年制造出P型和N型纳米碳管场效晶体管后,电子所和化工所合作,最近又开发成功单层纳米碳管定位成长技术,可在4至8英寸硅芯片基板上制作,具备与集成电路整合的潜力。

    据悉,现有纳米碳管场效晶体管制作技术大多采用涂布方式,长成的纳米碳管为随机分布,位置无法准确控制。新技术具金属性或半导体性,可以用于制造高效能金属连接线和纳米碳管晶体管阵列。
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